[发明专利]具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造纳米线晶体管的方法，包括：

对阱注入进行氧化以形成局部隔离区域；

在所述局部隔离区域上形成包括交替的第一半导体的层和第二半导体的层的鳍，其中所述第一半导体的初始层邻接所述局部隔离区域，并且其中所述鳍从第一延伸区域延伸到第二延伸区域；

在所述第一延伸区域和所述第二延伸区域中注入蚀刻停止物；

形成伪栅极开口以暴露所述鳍的栅极区域；

选择性地蚀刻在所述鳍的所述栅极区域中的所述第一半导体的所述层，以从所述栅极区域中的所述第二半导体的所述层形成纳米线，其中经注入的所述蚀刻停止物抑制在所述第一延伸区域和第二延伸区域中对所述第一半导体的所述层的选择性蚀刻；

选择性氧化所述第一半导体的所述层，使得所述第一半导体的每一层包括从所述伪栅极开口延伸到所述第一延伸区域和所述第二延伸区域中的氧化帽；以及

在所述纳米线周围形成替代金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体是硅，并且所述第二半导体是硅锗。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体是硅锗，并且所述第二半导体是硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其中注入所述蚀刻停止物包括注入碳。

5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述替代金属栅极包括沉积初始高k电介质层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中沉积所述替代金属栅极还包括沉积后续功函数层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中沉积所述替代金属栅极还包括沉积金属栅极填充物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述鳍包括：沉积所述第一半导体的所述初始层、所述第二半导体的第二层、所述第一半导体的第三层和所述第二半导体的第四层。

9.一种纳米线晶体管，包括：

纳米线，从第一延伸区域中的第一半导体层延伸到第二延伸区域中的所述第一半导体层，所述第一延伸区域和所述第二延伸区域均包括与所述第一半导体层相邻的第二半导体层以及蚀刻停止掺杂剂；

在所述第一延伸区域的第一表面上的第一间隔物；

在所述第二延伸区域的第一表面上的第二间隔物；

围绕所述纳米线的替代金属栅极，其中所述第一延伸区域中的所述第二半导体层和所述第二延伸区域中的所述第二半导体层各自包括邻接所述替代金属栅极的氧化端，并且其中所述氧化端由所述第二半导体层的材料的氧化物构成；

衬底；以及

在所述衬底中与所述替代金属栅极相邻的阱注入，其中所述阱注入包括氧化局部隔离区域，所述氧化局部隔离区域位于所述阱注入的其余部分与所述替代金属栅极之间。

10.根据权利要求9所述的纳米线晶体管，其中所述第二半导体层包括硅锗层，所述硅锗层包括所述蚀刻停止掺杂剂。

11.根据权利要求9所述的纳米线晶体管，其中所述蚀刻停止掺杂剂包括碳。

12.根据权利要求9所述的纳米线晶体管，其中所述替代金属栅极包括：

与所述纳米线相邻的外部高k层；

金属栅极填充物；以及

在所述外部高k层和所述金属栅极填充物之间的功函数层。

13.根据权利要求9所述的纳米线晶体管，其中所述纳米线包括硅，并且其中所述第二半导体层包括硅锗。