[发明专利]玻璃基板、层叠基板、层叠体以及半导体封装的制造方法有效
| 申请号： | 201680076451.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108473362B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 泽村茂辉;小野和孝;塙优 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/083 | 分类号： | C03C3/083;C03C3/085;C03C3/087;H01L23/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 层叠 以及 半导体 封装 制造 方法 | ||
1.一种玻璃基板，其特征在于，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有以下成分：
SiO2：55％～75％，
Al2O3：2％～15％，
MgO：0％～10％，
CaO：0％～10％，
SrO：2％～10％，
BaO：2％～15％，
ZrO2：0％～5％，
Na2O：0％～20％，
K2O：5％～30％，
Li2O：0％～5.0％，
实质上不含有ZnO，
碱金属氧化物的合计含量以氧化物基准的摩尔百分比表示为10％～30％，
碱金属氧化物的合计含量除以SiO2的含量而得的值为0.50以下，
Na2O的含量除以从Na2O和K2O的合计含量减去Al2O3的含量后的值而得到的值为0.90以下，
50℃～350℃下的平均热膨胀系数α1为11ppm/℃～12.8ppm/℃，
光弹性常数C为10～26nm/cm/MPa。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，所述玻璃基板为半导体封装用支承基板。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，所述玻璃基板为选自扇出型的晶片级封装用支承玻璃基板、具有贯通孔的玻璃基板、高频滤波器的盖材和半导体背面研磨用支持玻璃中的1种。
4.一种玻璃基板，其特征在于，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有以下成分：
SiO2：55％～75％，
Al2O3：2％～15％，
MgO：0％～10％，
CaO：0％～10％，
SrO：2％～10％，
BaO：2％～15％，
ZrO2：0％～5％，
Na2O：0％～20％，
K2O：5％～30％，
Li2O：0％～5.0％，
实质上不含有ZnO，
Na2O的含量除以从Na2O和K2O的合计含量减去Al2O3的含量后的值而得到的值为0.90以下，
50℃～350℃下的平均热膨胀系数α1为12.0ppm/℃～12.8ppm/℃，
光弹性常数C为10～26nm/cm/MPa，
是半导体封装用支承基板。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其中，努氏硬度为500以下。
6.一种玻璃基板，其特征在于，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有以下成分：
SiO2：55％～75％，
Al2O3：2％～15％，
MgO：0％～10％，
CaO：0％～10％，
SrO：2％～10％，
BaO：2％～15％，
ZrO2：0％～5％，
Na2O：0％～20％，
K2O：5％～30％，
Li2O：0％～5.0％，
努氏硬度为500以下，
50℃～350℃下的平均热膨胀系数α1为11ppm/℃～12.8ppm/℃，
实质上不含有ZnO，
光弹性常数C为10～26nm/cm/MPa，
为半导体封装用支承基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AGC株式会社，未经AGC株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680076451.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
