[发明专利]单晶碳化硅的制造方法及收容容器

权利要求书

1.一种单晶碳化硅的制造方法，是在至少表面由SiC组成的种子材料上通过溶液生长法使外延层生长而制造单晶碳化硅的方法，其特徵在于：

以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度满足下述条件的方式使单晶碳化硅生长，

Al：4.00×10¹⁶以下(atoms/cm³)

Ti：3.00×10¹⁴以下(atoms/cm³)

Cr：7.00×10¹⁵以下(atoms/cm³)

Fe：1.00×10¹⁵以下(atoms/cm³)。

2.根据权利要求1所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度更满足下述条件的方式使单晶碳化硅生长，

Na：2.00×10¹³以下(atoms/cm³)

P：1.00×10¹⁴以下(atoms/cm³)

Ca：1.00×10¹⁴以下(atoms/cm³)

V：1.00×10¹²以下(atoms/cm³)

Ni：5.00×10¹⁴以下(atoms/cm³)

Cu：2.00×10¹⁴以下(atoms/cm³)。

3.根据权利要求1所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，在所述外延层的生长结束之前，在Si熔液中追加作为追加原料的SiC及C的至少一者。

4.根据权利要求3所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，通过在收容容器的内部存在有所述种子材料、固态的Si、用以至少将C供给于Si熔液的第1供给材料、及固态的所述追加原料的状态下进行加热处理，固态的Si熔化而成为Si熔液，进而将所述追加原料追加于该Si熔液。

5.根据权利要求4所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，固态的所述追加原料为粉末状。

6.根据权利要求3所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，在使所述外延层生长时，在所述收容容器的内部存在有用以至少将C供给于Si熔液的第1供给材料、及用以将所述追加原料追加于Si熔液的第2供给材料。

7.根据权利要求3所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，所述追加原料为SiC。

8.根据权利要求7所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，与所述种子材料比较，所述追加原料更容易溶于所述Si熔液。

9.根据权利要求3所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，所述追加原料为C。

10.根据权利要求9所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，所述追加原料即C的真密度为2Mg/m³以下。

11.根据权利要求3所述的单晶碳化硅的制造方法，其中，所述追加原料对Si熔液的追加量，按质量比为1％以上且3％以下。

12.一种收容容器，是通过使用Si熔液的溶液生长法用以使单晶碳化硅生长的收容容器，其特徵在于：

至少在表面设置有将作为追加原料的SiC及C的至少一者追加于Si熔液的供给材料。