[发明专利]用于高频电磁干扰(EMI)应用的复合物

权利要求书

1.一种具有组合物的电磁干扰屏蔽制品，所述组合物包括：

多个导电填料；

多个倍半硅氧烷类粒子；和

聚合物基体材料，所述导电填料和所述倍半硅氧烷类粒子分布在所述聚合物基体材料内；

其中所述组合物包含0.001重量％至3重量％的所述倍半硅氧烷类粒子，以及

其中所述倍半硅氧烷类粒子作为粒子聚集体而存在于所述基体材料中，其中所述粒子通过两个明显不同的粒子中的给定聚合物链的反应共价结合在一起，并且所述聚集体具有约1微米至约10微米的平均尺寸。

2.根据权利要求1所述的制品，其中所述组合物能够吸收0.1GHz至40GHz的基频范围及其谐波中的传入电磁能量的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的制品，其中所述倍半硅氧烷类粒子能够将所述组合物的电磁能量吸收提高至少5％。

4.根据权利要求1所述的制品，其中所述导电填料包含碳纳米结构填料，所述碳纳米结构填料包括多个交联的碳纳米管。

5.根据权利要求4所述的制品，其中所述碳纳米结构填料还包括一种或多种聚合物包封材料，并且所述碳纳米管至少部分由所述聚合物包封材料包封。

6.根据权利要求1所述的制品，其中所述导电填料还包括炭黑、碳泡沫、泡沫碳、碳纤维、碳纳米管、剥离石墨、石墨烯、石墨烯纳米薄片、金属粒子和纳米粒子、金属合金粒子、金属纳米线、导电涂覆粒子、或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的制品，其中所述倍半硅氧烷类粒子包括能够在所述聚合物基体中产生固有孔隙度的Si-H基团。

8.根据权利要求1所述的制品，其中所述聚合物基体材料与所述倍半硅氧烷类粒子的所述重量比在约5至约5000的范围内。

9.根据权利要求1所述的制品，其中所述倍半硅氧烷类粒子具有约10nm至约500nm的平均尺寸。

10.一种电子装置，所述电子装置包括根据权利要求1所述的制品，其中所述电子装置还包括电路，并且所述制品邻近所述电路设置以提供电磁干扰保护。

11.根据权利要求10所述的电子装置，所述电子装置为移动装置。

12.一种制备根据权利要求1至9中任一项所述的电磁干扰屏蔽制品的方法，所述方法包括：

提供多个导电填料；

提供多个倍半硅氧烷类粒子；以及

将所述导电填料和所述倍半硅氧烷类粒子的混合物加入到聚合物基体材料中，所述导电填料和所述倍半硅氧烷类粒子分布在所述聚合物基体材料内；

其中所述组合物包含0.001重量％至3重量％的所述倍半硅氧烷类粒子，以及

其中所述倍半硅氧烷类粒子作为粒子聚集体而存在于所述基体材料中，其中所述粒子通过两个明显不同的粒子中的给定聚合物链的反应共价结合在一起，并且所述聚集体具有约1微米至约10微米的平均尺寸。