[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201680077297.9 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108475703B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 田所千广;田口健介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅半导体装置，其具有：
碳化硅衬底，其设置有第1面和与所述第1面相反的第2面，该碳化硅衬底具有n型区域和p型区域，该n型区域将所述第1面和所述第2面连接，该p型区域与所述n型区域接触，将所述第1面和所述第2面连接；
第1阳极电极，其在所述第1面之上与所述n型区域肖特基接合；
第1阴极电极，其在所述第2面之上与所述n型区域欧姆接合；
第2阳极电极，其在所述第1面之上与所述p型区域欧姆接合；
第2阴极电极，其在所述第2面之上与所述p型区域肖特基接合；以及
p型阱，其在所述n型区域之上局部地形成所述第1面，
所述第2阳极电极具有比所述第2阴极电极的面积大的面积。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述p型区域具有比所述n型区域的宽度小的宽度。
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