[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块（10），包括：

衬底板（14）；

第一半导体开关芯片（22a）和第一二极管芯片（24a），附连到所述衬底板（14）上的集电极导体（16），其中所述第一二极管芯片（24a）反并联电连接到所述第一半导体开关芯片（22a）；

其中所述第一半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）电连接到所述衬底板（14）上的发射极导体（18），从而提供第一发射极电流路径（50a），所述发射极导体（18）相对于所述第一二极管芯片（24a）与所述第一半导体开关芯片（22a）相对地布置；

其中所述第一半导体开关芯片（22a）的栅电极（40a）经由接合线（28）电连接到所述衬底板（14）上的栅极导体（20），从而提供第一栅极电流路径（54a），所述栅极导体（20）相对于所述第一二极管芯片（24a）与所述第一半导体开关芯片（22a）相对地布置；

其中所述发射极导体（18）的突出区域（44）在所述第一二极管芯片（24a）旁边朝所述第一半导体开关芯片（22a）延伸，以及所述第一半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）与所述突出区域（44）直接连接，从而提供至少部分沿所述第一栅极电流路径（54a）延伸的附加发射极电流路径（52）；

其中所述第一半导体开关芯片（22a）以及所述第一二极管芯片（24a）布置在第一行（42a）中；

其中所述半导体模块（10）还包括第二行（42b）的附连到所述集电极导体（16）的第二二极管芯片（24b）和第二半导体开关芯片（22b），其中每个行的所述二极管芯片（24a、24b）反并联电连接到相同行的所述半导体开关芯片（22a、22b），以及所述第一和第二行（42a、42b）并联电连接；

其中所述第一半导体开关芯片（22a）布置在所述第二二极管芯片（24b）旁边，以及所述第二半导体芯片（22b）布置在所述第一二极管芯片（24a）旁边；

其中所述第一和第二半导体开关芯片（22a、22b）经由接合线（28）电连接到所述衬底板（14）上的所述发射极导体（18）；

其中所述发射极导体（18）布置在所述第一二极管芯片（24a）和所述第二半导体开关芯片（22b）旁边的所述半导体模块（10）的一侧上；

其中所述第一和第二半导体开关芯片（22a、22b）的栅电极（40a、40b）电连接到所述栅极导体（20），所述栅极导体（20）布置在所述发射极导体（18）所布置在的所述半导体模块（10）的所述侧，使得所述第一半导体开关芯片（22a）的所述栅电极（40a）与所述栅极导体（20）之间的所述第一栅极电流路径（54a）比所述第二半导体开关芯片（22b）的所述栅电极（40b）与所述栅极导体（20）之间的第二栅极电流路径（54b）更长。

2.如权利要求1所述的半导体模块（10），

其中，所述附加发射极电流路径（52）和所述第一栅极电流路径（54a）布置成使得它们按照以下方式电感耦合：所述第一半导体开关芯片（22a）的栅极-发射极电压通过所述附加发射极电流路径（52）中的电流来提高。

3.如以上权利要求中的一项所述的半导体模块（10），

其中，所述第一半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）与所述第一二极管芯片（24a）连接，以及所述第一二极管芯片（24a）经由接合线（28）与所述发射极导体（18）连接。

4.如权利要求1或2所述的半导体模块（10），

其中，所述第一半导体开关芯片（22a）的所述栅电极（40a）经由接合线（28）与所述衬底板（14）上的桥接导体（48）连接，所述桥接导体（48）至少部分地被所述发射极导体（18）的所述突出区域（44）所包围并且其经由接合线（28）与所述栅极导体（20）连接。

5.如权利要求4所述的半导体模块（10），

其中，所述桥接导体（48）布置在所述第一二极管芯片（24a）与所述发射极导体（18）的所述突出区域（44）之间；或者

其中所述发射极导体（18）的所述突出区域（44）完全包围所述桥接导体（48）。