[发明专利]偏斜共螺旋电感器结构在审
申请号: | 201680077995.9 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN108475673A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | D·D·金;D·F·伯蒂;C·左;C·H·尹;J·金 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01F17/00;H01L23/522;H01L49/02;H01F27/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈炜;袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 迹线 螺旋电感器 偏斜 螺旋图案 轨迹交叠 基板支撑 交叠区域 宽度限定 平行边缘 耦合到 交叠 通孔 正交 | ||
1.一种偏斜的共螺旋电感器结构,包括:
由基板支撑的被安排为呈第一螺旋图案的第一迹线;以及
被安排为呈第二螺旋图案的第二迹线,所述第二迹线被耦合到所述第一迹线,所述第一迹线在多个正交交叠区域中与所述第二迹线交叠,每个正交交叠区域具有由所述第一迹线的宽度和所述第二迹线的宽度限定的大小,其中所述第一迹线和所述第二迹线的平行边缘被安排为重合。
2.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述多个正交交叠区域的总和小于第一迹线长度和/或第二迹线长度的10%。
3.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线包括第一螺旋电感器,而所述第二迹线包括第二螺旋电感器,所述第二螺旋电感器被安排在相反方向上并与所述第一螺旋电感器有偏移。
4.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,进一步包括在所述共螺旋电感器结构的中心部分处将所述第一迹线耦合到所述第二迹线的通孔。
5.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,根据方向相反且与所述第一螺旋图案有偏移的所述第二螺旋图案,所述第二迹线从所述共螺旋电感器结构的中心部分延伸,以减少所述多个交叠区域。
6.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述共螺旋电感器结构被配置为在大于RF频带的频率处自谐振。
7.如权利要求6所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述频率大于2.4GHz。
8.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述基板包括玻璃基板或无核基板。
9.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线的厚度在十(10)至二十(20)微米的范围内。
10.如权利要求1所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述共螺旋电感器结构被集成到射频(RF)前端模块中,所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、移动电话以及便携式计算机。
11.一种偏斜共螺旋电感器结构,包括:
由基板支撑的被安排为呈第一螺旋图案的第一迹线;以及
被安排为呈第二螺旋图案的第二迹线,所述第二迹线被耦合到所述第一迹线,所述第一迹线在多个正交交叠区域中与所述第二迹线交叠,所述多个正交交叠区域中的每一者具有由所述第一迹线的宽度和所述第二迹线的宽度限定的大小,其中所述第一迹线和所述第二迹线的平行边缘被安排为交叠多达20%。
12.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线的厚度在十(10)至二十(20)微米的范围内。
13.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线的宽度在二十(20)到一百(100)微米的范围内。
14.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第二迹线与所述第一迹线之间的间隔在三(3)至十(10)微米的范围内。
15.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述共螺旋电感器结构被集成到射频(RF)前端模块中。
16.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线的总匝数为至少1.5匝。
17.如权利要求11所述的共螺旋电感器结构,其特征在于,所述第一迹线由铜、铝、镍、银、银膏或铜膏组成的群中所选的材料构成。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的