[发明专利]用于真空涂覆的装置和方法

权利要求书

1.用于真空腔（175）中的3D基体的真空涂覆的装置，其具有：

- 用于3D基体的基体承载设备（21），所述基体承载设备具有围绕纵轴线（40）能够转动的塔架（41），所述塔架具有用于基体的保持装置，和

- 配属给所述塔架（41）的等离子体CVD放电装置，

其特征在于，

- 所述等离子体CVD放电装置包括大于两个板状的具有激励面的电极，所述电极的激励面全部朝所述塔架（41）定向，所述板状的电极是由金属材料制成的扁平构件，当连接到功率供应装置时扁平构件用于产生等离子体放电，并且

- 功率供应装置被设置用于：借助于至少一个施加到所述电极中的至少两个电极处的电压来激励等离子体放电，其中，被激励的等离子体至少加载所述塔架（41）的部分并且加载能够布置在所述塔架处的基体，

-所述装置还包括用于金属化基体而被配属给所述塔架（41）的伸长的蒸发涂覆装置（10'），所述蒸发涂覆装置布置在电极之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

a）所述等离子体CVD放电装置具有一组至少三个板状的电极，其中，

- 第一电极（30a）设有第一激励面（30a1），第二电极（30b）设有第二激励面（30b1），并且第三电极（30c）设有第三激励面（30c1），其中，所述激励面（30a1、30b1、30c1）全部朝所述塔架（41）定向，并且

- 功率供应装置（170）被设置用于：借助于至少一个施加到所述电极（30a、30b、30c）中的至少两个电极处的电压来激励等离子体放电，其中，被激励的等离子体至少加载所述塔架（41）的部分并且加载能够布置在所述塔架处的基体，

或者

b）所述等离子体CVD放电装置具有一组至少四个板状的电极，其中，

- 第一电极（30a）设有第一激励面（30a1），第二电极（31b）设有第二激励面（31b1），第三电极（32a）设有第三激励面（32a1），并且第四电极（32b）设有第四激励面（32b1），其中，所述激励面（30a1、31b1、32a1、32b1）全部朝所述塔架（41）定向，

- 其中，功率供应装置（170）被设置用于：借助于至少一个施加到所述电极（31a、31b、32a、32b）中的至少两个电极处的电压来激励等离子体放电，其中，被激励的等离子体至少加载所述塔架（41）的部分并且加载能够布置在所述塔架处的基体。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在符号a）的情况下，所述第一电极、第二电极和第三电极（30a、30b、30c）彼此相对地布置在这种几何配置中：相比于在所述真空腔（175）中的由所述第一电极、第二电极和第三电极（30a、30b、30c）构成的组中的仅两个成员的几何配置中的基体的最大涂覆速率，在所给定的等离子体功率下，所述装置以基体的更高的涂覆速率能够运行。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在符号b）的情况下，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极（31a、30b、32a、32b）彼此相对地布置在这种几何配置中：相比于在所述真空腔（175）中的由所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极（31a、31b、32a、32b）构成的组中的仅两个成员的几何配置中的基体的最大涂覆速率，在所给定的等离子体功率下，所述装置以基体的更高的涂覆速率能够运行。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其特征在于，在符号a）的情况下，所述第一电极、第二电极和第三电极（30a、30b、32a）彼此相对地布置在这种几何配置中：对于由所述第一电极、第二电极和第三电极（30a、30b、32a）构成的组中的至多两个成员，这些成员的所述激励面（30a1、30b1、32a1）不能通过几何直线连接，

或者

在符号b）的情况下，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极（31a、31b、32a、32b）彼此相对地布置在这种几何配置中：对于由所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极（31a、31b、32a、32b）构成的组中的至多三个成员，这些成员的所述激励面（31a1、31b1、32a1、32b1）不能通过几何直线连接。