[发明专利]微发光二极管转移方法及制造方法

权利要求书

1.一种微发光二极管转移方法，包括：

在承载衬底上的要拾取的微发光二极管上形成牺牲柱；

经由牺牲柱将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；

从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；

将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及

从拾取衬底剥离所述微发光二极管；

微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上，要拾取的微发光二极管通过第二接合层经由牺牲柱被接合在拾取衬底上，以及由拾取衬底所拾取的微发光二极管通过第三接合层被接合到接收衬底上；第一接合层和第三接合层是焊料层或粘合剂层，以及第二接合层是聚合物层；第一接合层和第三接合层的剥离特性和第二接合层的剥离特性不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成牺牲柱包括：

在包括微发光二极管的承载衬底上形成牺牲层；以及

通过光刻对牺牲层进行构图，以在要拾取的微发光二极管上保留牺牲层，而在其他部分上去除牺牲层，从而形成所述牺牲柱。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一接合层的熔点低于280℃，以及通过加热从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合层是光刻胶、热释放胶带或者是能够被紫外线固化且被激光剥离的膜。

5.根据权利要求1或2中的任一项所述的方法，其中，通过溶液溶解、热释放、光释放和机械释放中的至少一种从拾取衬底剥离所述微发光二极管。

6.根据权利要求1或2中的任一项所述的方法，其中，拾取衬底的材料包括玻璃、蓝宝石、石英和硅中的一种。

7.一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据权利要求1-6中的任一项所述的方法将微发光二极管转移到微发光二极管装置的接收衬底上。