[发明专利]天线开关和共用器的单片集成

权利要求书

1.一种集成射频(RF)电路结构，包括：

电阻性基板材料；

在由所述电阻性基板材料支撑的绝缘体上覆硅(SOI)层中的天线开关；

被耦合到所述SOI层的隔离层；以及

包括电感器和电容器的滤波器，其被安排在所述集成RF电路结构的与所述电阻性基板材料相对的表面上，其中所述天线开关被安排在所述隔离层的面对所述电阻性基板材料的第一表面上，而所述滤波器直接在所述隔离层的第二表面上，该第二表面与直接支撑所述隔离层的第一表面的所述SOI层相对。

2.如权利要求1所述的集成RF电路结构，其中所述滤波器包括被安排在与所述隔离层的第一表面相对的所述第二表面上的共用器、三工器、低通滤波器、平衡非平衡滤波器和/或陷波滤波器。

3.如权利要求1所述的集成RF电路结构，进一步包括通孔，所述通孔将所述隔离层的第一表面上的所述天线开关耦合到与所述第一表面相对的所述第二表面上的所述滤波器并穿过所述隔离层。

4.如权利要求1所述的集成RF电路结构，进一步包括接触所述天线开关的焊盘以及通过所述焊盘耦合到所述滤波器的互连。

5.如权利要求1所述的集成RF电路结构，其中所述天线开关直接在所述隔离层的第一表面上，而所述SOI层由介电层直接支撑。

6.如权利要求1所述的集成RF电路结构，进一步包括法拉第笼，所述法拉第笼在介电层中围绕所述天线开关。

7.如权利要求1所述的集成RF电路结构，进一步包括耦合到所述SOI层中的所述天线开关的金属绝缘体金属(MIM)电容器，所述MIM电容器被安排在支撑所述SOI层的介电层中。

8.如权利要求1所述的集成RF电路结构，其中所述集成RF电路结构被集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话以及便携式计算机。

9.一种构建集成射频(RF)电路结构的方法，包括：

在由电阻性基板材料支撑的绝缘体上覆硅(SOI)层中制造天线开关；

直接在与所述SOI层相对的隔离层的介电材料上制造由所述天线开关支撑的包括电感器和电容器的滤波器；以及

制造通过与SOI层相对的所述隔离层的所述介电材料耦合所述滤波器和所述天线开关的通孔。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

沉积第一导电材料作为接触所述天线开关的焊盘；以及

沉积第二导电材料作为通过所述焊盘耦合到所述滤波器的互连。

11.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

将包括支撑所述SOI层的所述隔离层的块状晶片附连到所述电阻性基板材料上；以及

移除所述块状晶片。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述天线开关被直接制造在由所述SOI层支撑的所述隔离层的所述介电材料上。

13.如权利要求9所述的方法，进一步包括在支撑所述SOI层的介电层中制造围绕所述天线开关的笼状结构。

14.如权利要求9所述的方法，进一步包括将RF集成电路结构集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话以及便携式计算机。