[发明专利]基板评价方法

权利要求书

1.一种基板评价方法，包括以下步骤：

从LED向基板照射偏振所得到的平行光；以及

评价步骤，基于利用透过了所述基板的光得到的图像，来对所述基板的至少一部分的晶体品质进行评价，

其中，所述评价步骤包括利用交叉棱镜来进行评价，所述平行光的半值宽度HW、所述平行光的发散角DA、所述平行光的中心波长CWL、隔着所述基板相对置的起偏振器和检偏振器的消光比ER、所述基板的表面侧的表面粗糙度Ra1以及所述基板的背面侧的表面粗糙度Ra2满足以下的条件，

3≤HW≤100

0.1≤DA≤5

300＜CWL＜500

10^-4＜ER＜10^-2

0.001≤Ra1≤30

0.001≤Ra2≤30

其中，中心波长CWL和半值宽度HW的单位为nm，发散角DA的单位为mrad，表面粗糙度Ra1和Ra2的单位为nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述半值宽度HW满足以下的条件，

3＜HW＜60。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述发散角DA满足以下的条件，

0.1＜DA＜3。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述评价步骤包括改变焦深。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述评价步骤包括对基于原子排列的位移的晶格畸变进行评价。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述基于原子排列的位移的晶格畸变包括螺型穿透位错、刃型穿透位错、基面位错、堆垛层错、包裹体、加工损伤。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述评价步骤包括对光弹性进行评价。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述基板是半导体基板、半导体单晶基板、半导体单晶基板的外延生长基板、矿物基板、玻璃基板、塑料基板、或者塑料膜基板。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述半导体单晶基板包括单轴极性晶体基板、宽带隙半导体基板、透明氧化物的单晶基板、单晶硅基板以及单晶硅外延基板中的至少任一个，其中，所述单轴极性晶体基板包括单晶4H-SiC基板或单晶6H-SiC基板，所述宽带隙半导体基板包括单晶GaN、单晶Ga₂O₃、单晶A1N以及单晶金刚石中的至少任一种，所述透明氧化物包括单晶蓝宝石。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述半导体单晶基板是单轴极性晶体基板，该单轴极性晶体基板包括单晶4H-SiC基板或单晶6H-SiC基板，所述半导体单晶基板的厚度t满足以下的条件，

50≤t≤600

其中，厚度t的单位为μm。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述表面粗糙度Ra1满足以下的条件，

0.001≤Ra1≤1。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述表面粗糙度Ra2满足以下的条件，

0.001≤Ra2≤1。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

制造使用了通过所述评价选择出的基板的产品。

14.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

对通过所述评价所确定的基板的区域实施处理。