[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构

说明书

一种薄膜晶体管阵列面板包括：包括栅极的第一导电层(102)；设置在所述栅极上方的沟道层(104)和设置在沟道层(104)上的第二导电层(105)。所述第二导电层(105)包括定义源极(105a)和漏极(105b)的多层部分，其包括依次相继设置的第一子层(105‑1)、第二子层(105‑2)和第三子层(105‑3)。所述第三和所述第一子层(105‑3、105‑1)均包含铟和锌氧化物材料。所述第一子层(105‑1)中的铟与锌的含量比大于所述第三子层(105‑3)中的铟与锌的含量比。所述第一和所述第三子层(105‑1、105‑3)之间的含量比例差异影响形成在所述第二导电层(105)中所述源极和所述漏极(105a、105b)之间的间隙(106)相关的侧面蚀刻轮廓，其中第三子层(105‑3)中的相关间隙(106)宽度比第一子层(105‑1)中的相关间隙(106)宽度宽。

相关申请的交叉引用

本申请主张2016年1月14日提交的美国临时申请62/278448、62/278467和62/278469的优先权，该些美国临时申请通过引用文献加入本文。

技术领域

本发明总体上涉及显示技术，具体涉及薄膜晶体管(TFT)阵列面板。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管(TFT)被用作像素电极的开关元件。薄型显示面板装置通常包括被布置为传送用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和被布置为传送施加到像素电极的信号的数据线。研究工作致力于提高信号传导能力以实现更高的面板装置的性能。

附图说明

现在将参照附图仅以举例的方式描述本技术的实现。

图1示出了根据本公开的一些实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的一部分的示意性平面布局。

图2示出了根据本公开的一些实施例的示例性阵列面板中的TFT器件的横截面图。

图3至图6示出了经历图案化处理的多层导电层中的不同示意性蚀刻轮廓。

图7示出了根据本公开的一些实施例的示例性阵列面板中的TFT器件的横截面图。

图8至图14示出了根据本公开的一些实施例的示例性TFT器件在制造过程的各个阶段。

具体实施方式

应该理解的是，为了说明的简单和清楚，在适当的情况下，在不同附图中重复使用附图标号来指代对应或类似的元件。此外，许多具体细节被阐述以便提供对本文描述的实施例的透彻理解。然而，本领域的普通技术人员将会理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他实例中，方法、工艺和组件未被详细描述以免混淆所描述的相关特征。且，该描述不被认为是限制本文描述的实施例的范围。附图不一定按比例绘制，并且某些部件的比例已被放大以更好地示出本公开的细节和特征。

术语“连接”被定义为连接，不管是直接还是间接地通过中间组件，且不一定局限于物理连接。连接可以是这样的，即物体永久连接或可释放地连接。术语“大体上”被定义为基本上符合基本上修改的特定尺寸、形状或其他词，使得该器件不必是精确的。例如，基本圆柱的意味着物体类似于圆柱体，但可以具有与真实圆柱体的一个或多个偏差。术语“包括”，当使用时，意思是“包括但不限于”；它具体表示开放式包含或在所描述的结合、组合、系列等中的成员。

为了一致性的目的和易于理解，类似的特征在示例性图中用相似的标号标识(尽管在某些情况下，未示出)。然而，不同实施例中的特征在其他方面可能不同，因此不应狭义地限于图中所示的内容。