[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基底；

设置在所述基底上且包括栅极的第一导电层；

设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；和

设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其中所述第二导电层的所述多层部分至少包括：

设置在所述沟道层上且与之电性接触的第一子层，

设置在所述第一子层上的第二子层，

设置在所述第二子层上的第三子层；以及

设置在所述第一子层和所述第二子层之间的至少一个附加子层，

其中所述第一子层、所述第三子层和所述附加子层中的每一个包含含有铟和锌的金属氧化物材料；

其中所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比；

其中所述第一子层中的铟含量大于所述附加子层中的铟含量；

其中所述第一子层与所述第三子层之间的铟与锌含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓；

其中在所述第三子层中的间隙宽度大于在所述第一子层中的间隙宽度，所述第一子层和所述第三子层之间的所述铟与锌的含量比差异不小于20％。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述附加子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层中的铟含量与所述附加子层中的铟含量之间的铟含量之比在大于1至大约1.5的范围内。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第二导电层包括多于一个的附加子层，其中所述附加子层中更靠近所述第一子层中的一个的铟含量高于离所述第一子层较远的附加子层中的铟含量。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层和所述第三子层之间的铟与锌含量的比例差异影响了所述源极和所述漏极之间限定的间隙的基本平滑和锥形侧面轮廓的形成。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：与所述蚀刻间隙定义相关联的侧面轮廓对应于相对于由所述基底定义的表面成约40度至85度范围内的锥角。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层中的所述铟与锌的含量比在约25％至约80％的范围内。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层中的所述铟与锌的含量比在约45％至约70％的范围内。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第三子层中的所述铟与锌的含量比在约5％至约40％的范围内。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层中的所述铟与锌的含量比在约10％至约35％的范围内。