[发明专利]显示设备和像素电路在审

专利信息
申请号: 201680078871.2 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN108885855A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 顾晶;施博议 申请(专利权)人: 深圳云英谷科技有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 518057 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 耦合到 漏电极 发光控制晶体管 发光晶体管 驱动晶体管 源电极 栅电极 电容器 发光控制信号 发光 发光时段 发光元件 像素电路 帧周期 接通 电源电压 显示设备
【权利要求书】:

1.一种用于驱动发光元件的电路,包括:

电容器;

发光控制晶体管,包括可操作地耦合到发光控制信号的栅电极,可操作地耦合到电源电压的源电极,以及漏电极;

驱动晶体管,包括可操作地耦合到电容器的一个电极的栅电极,可操作地耦合到发光控制晶体管的漏电极的源电极,以及漏电极;和

多个发光晶体管,每个发光晶体管包括可操作地耦合到多个发光信号中的相应一个的栅电极,可操作地耦合到驱动晶体管的漏电极的源电极,以及可操作地耦合到多个发光元件中的相应一个的漏电极,其中

多个发光信号中的每一个在帧周期内的多个发光周期中的相应一个期间接通相应的发光晶体管,以使各个发光元件发光;和

发光控制信号在帧周期内的多个发光周期中的每个发光周期期间接通发光控制晶体管。

2.如权利要求1所述的电路,其中所述发光控制晶体管,所述驱动晶体管和所述多个发光晶体管中的每一个是p型薄膜晶体管(TFT)。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述多个发光元件中的每一个是顶部发光有机发光二极管(OLED)。

4.如权利要求1所述的电路,还包括:

开关晶体管包括:栅电极,可操作地耦合到传输扫描信号的扫描线;源电极,可操作地耦合到传输数据信号的数据线;以及漏电极。

5.根据权利要求4所述的电路,其中所述扫描信号在所述帧周期内的多个充电时段中的每一个期间接通所述开关晶体管,以使所述电容器在所述数据信号中的相应电平被充电以用于相应的发光元件。

6.如权利要求5所述的电路,其中,所述发光控制信号在所述帧周期内的所述多个充电时段中的每个充电时段期间关闭所述发光控制晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路,其中所述多个发光元件布置在发光元件阵列的同一列中。

8.一种用于驱动发光元件的电路,包括:

电容器;

发光控制晶体管,包括可操作地耦合到发光控制信号的栅电极,可操作地耦合到参考电压的源电极,以及漏电极;

驱动晶体管,包括可操作地耦合到电容器的一个电极的栅电极,可操作地耦合到电源电压的源电极,以及漏电极;和

多个发光晶体管,每个发光晶体管包括可操作地耦合到多个发光信号中的相应一个的栅电极,可操作地耦合到驱动晶体管的漏电极的源电极,以及可操作地耦合到多个发光元件中的相应一个的漏电极,其中

多个发光信号中的每一个在帧周期内的多个发光周期中的相应一个期间接通相应的发光晶体管,以使各个发光元件发光;和

发光控制信号在帧周期内的多个发光周期中的每个发光周期期间接通发光控制晶体管。

9.如权利要求8所述的电路,其中,发光控制晶体管,驱动晶体管和多个发光晶体管中的每一个是p型薄膜晶体管(TFT)。

10.根据权利要求8所述的电路,其中所述多个发光元件中的每一个是顶部发光有机发光二极管(OLED)。

11.如权利要求8所述的电路,还包括:

开关晶体管包括:栅电极,可操作地耦合到传输扫描信号的扫描线;源电极,可操作地耦合到传输数据信号的数据线;以及漏电极。

12.如权利要求11所述的电路,其中,

电容器的另一个电极可操作地连接到发光控制晶体管的漏电极和开关晶体管的漏电极;和

扫描信号在帧周期内的多个充电周期的每一个期间接通开关晶体管,以使电容器在各个发光元件的数据信号中的相应电平被充电。

13.根据权利要求12所述的电路,其中所述发光控制信号在所述帧周期内的所述多个充电时段中的每一个期间关闭所述发光控制晶体管。

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