[发明专利]取代环戊二烯基钴络合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法

权利要求书

1.通式(1)所示的钴络合物，

式(1)中，R¹为通式(2)所示的甲硅烷氧基，R²表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R³、R⁴及R⁵各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯，

式(2)中，R⁶、R⁷及R⁸各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。

2.根据权利要求1所述的钴络合物，其中，R³、R⁴及R⁵各自独立地为氢原子或甲基。

3.根据权利要求1或2所述的钴络合物，其中，R⁶、R⁷及R⁸各自独立地为碳原子数1～4的烷基。

4.权利要求1～3中任一项所述的钴络合物的制造方法，该方法包括：

使通式(3)所示的三膦络合物与通式(4)所示的环戊二烯锂反应，然后与碳原子数4～10的二烯反应，

式(3)中，R⁹、R¹⁰及R¹¹各自独立地表示苯基、甲苯基、碳原子数1～6的烷基、或碳原子数1～6的烷氧基，X表示卤原子，

式(4)中，R¹、R²、R³、R⁴及R⁵与通式(1)的R¹、R²、R³、R⁴及R⁵含义相同。

5.一种含钴薄膜的制作方法，该方法包括：

将通式(1)所示的钴络合物用于基于化学反应的气相蒸镀法的原料，

式(1)中，R¹表示通式(2)所示的甲硅烷氧基，R²表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R³、R⁴及R⁵各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯，

式(2)中，R⁶、R⁷及R⁸各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。

6.根据权利要求5所述的含钴薄膜的制作方法，其中，基于化学反应的气相蒸镀法是化学气相蒸镀法。

7.根据权利要求5或6所述的含钴薄膜的制作方法，其中，在基于化学反应的气相蒸镀法中使用分解气体。

8.根据权利要求7所述的含钴薄膜的制作方法，其中，使用还原性气体作为分解气体。

9.根据权利要求5～8中任一项所述的含钴薄膜的制作方法，其中，含钴薄膜为金属钴薄膜。

10.一种含钴薄膜，其是通过权利要求5～9中任一项所述的含钴薄膜的制作方法而制作的。

11.一种半导体器件，其中，在晶体管的栅电极、源极·漏极部的扩散层上的接点、以及铜布线籽晶层/衬垫层中的至少一者中使用权利要求10所述的含钴薄膜。