[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置

权利要求书

1.一种包含In、M和Zn的金属氧化物膜，包括：

第一结晶部；以及

第二结晶部，

其中，M为Al、Ga、Y或Sn，

所述第一结晶部具有c轴取向性，

所述第二结晶部没有c轴取向性，

所述第二结晶部的存在比例高于所述第一结晶部，

并且，所述第一结晶部的晶面间距和所述第二结晶部的晶面间距相同。

2.一种包含In、M和Zn的金属氧化物膜，包括：

第一结晶部；以及

第二结晶部，

其中，M为Al、Ga、Y或Sn，

所述第一结晶部具有c轴取向性，

所述第二结晶部没有c轴取向性，

在对截面进行电子衍射测量，观察所述金属氧化物膜的电子衍射图案的情况下，所述电子衍射图案包括：

具有起因于所述第一结晶部的衍射斑点的第一区域；以及

具有起因于所述第二结晶部的衍射斑点的第二区域，

并且，所述第一区域中的亮度的积分强度比所述第二区域中的亮度的积分强度大。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物膜，

其中所述第一区域中的所述亮度的积分强度比所述第二区域中的所述亮度的积分强度大1倍且为40倍以下。

4.根据权利要求2所述的金属氧化物膜，

其中所述第一区域中的所述亮度的积分强度比所述第二区域中的所述亮度的积分强度大1倍且为10倍以下。

5.根据权利要求2所述的金属氧化物膜，

其中所述第一区域中的所述亮度的积分强度与所述第二区域中的所述亮度的积分强度的所述强度比大于1倍且为3倍以下。

6.根据权利要求2所述的金属氧化物膜，

其中所述金属氧化物膜具有浅缺陷态密度的峰值小于5×10¹²cm^-2eV^-1的区域。

7.根据权利要求2所述的金属氧化物膜，

其中所述金属氧化物膜的所述In、所述M和所述Zn的原子个数比为In:M:Zn＝4:2:3附近，

并且在所述In、M和Zn的原子个数的总和中所述In的原子个数比为4的情况下，所述M的原子个数比为1.5以上且2.5以下，所述Zn的原子个数比为2以上且4以下。

8.一种半导体装置，包括：

半导体膜；

栅极绝缘膜；以及

栅电极，

其中，所述半导体膜包括权利要求2所述的金属氧化物膜。

9.一种包括权利要求2所述的金属氧化物膜的显示装置。