[发明专利]双环激光器的波长控制有效

专利信息
申请号: 201680079514.8 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN108496286B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: J-H·李;郑学哲;A·V·克里什纳莫西 申请(专利权)人: 甲骨文国际公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;G02B6/12;H01S5/0625;H01S5/10;H01S5/14;H01S5/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 周衡威
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光器 波长 控制
【权利要求书】:

1.一种光学源,包括:

半导体光学放大器,被限定在除了硅之外的半导体中,其中所述半导体光学放大器具有第一边缘和第二边缘,在第一边缘上包括反射性涂层,并且在操作期间在第二边缘处提供光学信号;以及

光子芯片,光学地耦合到所述半导体光学放大器,其中所述光子芯片包括:

第一光学波导,具有第三边缘和第四边缘,第三边缘光学地耦合到所述半导体光学放大器的第二边缘;

第一环谐振器,光学地耦合到第一光学波导;

第二光学波导,光学地耦合到第一环谐振器,具有第五边缘和光学地耦合到第一终止部的第六边缘;

第二环谐振器,光学地耦合到第二光学波导;

公共热调谐机制,热耦合到第一环谐振器和第二环谐振器;

第一热调谐机制,热耦合到第一环谐振器;

第二热调谐机制,热耦合到第二环谐振器;

监控设备,光学地耦合到第四边缘和第五边缘;以及

控制逻辑,电气地耦合到所述监控设备、所述公共热调谐机制、第一热调谐机制和第二热调谐机制,所述控制逻辑在操作期间调谐第一环谐振器和第二环谐振器。

2.根据权利要求1所述的光学源,其中所述控制逻辑通过以下操作来调谐第一环谐振器和第二环谐振器:

当所述光学源在激光发射阈值以下操作时,基于在第五边缘处测量的光学功率来调整第一热调谐机制和第二热调谐机制中的至少一个,以对齐第一环谐振器的第一谐振和第二环谐振器的第二谐振;以及

当所述光学源在所述激光发射阈值以上操作时,基于在第四边缘处测量的光学功率来调整所述公共热调谐机制,以将经对齐的第一谐振和第二谐振与具有载波波长的所述光学源的光学腔模式锁定。

3.根据权利要求2所述的光学源,其中在操作期间,所述控制逻辑通过以下操作来维持第一谐振和第二谐振与所述光学腔模式的对齐:

调整所述公共热调谐机制以使得在第四边缘处测量的输出功率最小化;以及

调整第一热调谐机制和第二热调谐机制中的至少一个,以使得在第五边缘处测量的输出功率最小化。

4.根据权利要求2所述的光学源,其中通过使得在第五边缘处测量的光学功率最小化来对齐第一谐振和第二谐振。

5.根据权利要求2所述的光学源,其中通过使得在第四边缘处测量的光学功率最小化来对齐第一谐振和第二谐振。

6.根据任一前述权利要求所述的光学源,其中所述半导体光学放大器是以下各项之一:边缘耦合到所述光子芯片;以及表面法向耦合到所述光子芯片。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的光学源,其中给定热调谐机制包括以下各项之一:掺杂半导体加热器;以及金属加热器。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的光学源,其中所述光学源还包括光学地耦合到第一光学波导的相位调制器。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的光学源,其中所述光子芯片包括:

基板;

布置在所述基板上的掩埋氧化物层;以及

布置在所述掩埋氧化物层上的半导体层,其中光学部件被限定在所述半导体层中。

10.根据权利要求9所述的光学源,其中所述基板、所述掩埋氧化物层和所述半导体层构成绝缘体上硅技术。

11.一种光学系统,包括:

处理器;

耦合到所述处理器的存储器;以及

根据任一前述权利要求所述的光学源。

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