[发明专利]制造纳米尺寸的凹陷的方法

权利要求书

1.一种创建纳米尺寸的凹陷的方法，所述纳米尺寸的凹陷用于创建用于将纳米狭缝刻蚀到下面的层中的掩模层，所述方法包括以下步骤：

-提供(S1)第一材料的第一层(100)，所述第一层限定沿着第一方向(110)延伸的第一细长凹陷(101)；并且

-将第二材料的第二层(107)共形地沉积(S2)到所述第一层上，使得所述第二材料均匀地覆盖所述第一细长凹陷的边界(102、103)，直到所述第二层限定沿着所述第一方向(110)延伸的第二纳米尺寸的细长凹陷(108)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二纳米尺寸的细长凹陷(108)的最小直径(109)小于20nm，小于10nm，小于5nm，小于3nm，小于2.5nm，小于2.25nm，小于2.1nm，小于2.0nm，小于1.9nm，小于1.85nm，小于0.5nm，或者小于0.1nm。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，共形沉积第二材料的步骤包括选自包括以下项的组的方法步骤：将所述第二材料原子层沉积到所述第一层上和/或将所述第二材料低压化学气相沉积到所述第一层上。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一细长凹陷(101)的最小直径(106)在10nm与50nm之间；和/或

其中，所述第一细长凹陷的边界至少包括侧壁(104)和底壁(105)，并且所述侧壁的高度与所述底壁的宽度之间的纵横比大于1。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一细长凹陷(101)的最小直径(106)在10nm与20nm之间。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述侧壁的高度与所述底壁的宽度之间的纵横比大于2。

7.根据权利要求1所述的方法，

-其中，提供第一层的步骤包括以下步骤：

-提供作为第一抗蚀剂的所述第一材料；并且

-将所述第一细长凹陷压印或结构化到所述第一抗蚀剂中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过纳米压印光刻、光学光刻和/或电子束光刻实现将所述第一细长凹陷压印或结构化到所述第一抗蚀剂中。

9.根据权利要求7-8中的任一项所述的方法，

其中，所述第一抗蚀剂包括选自包括以下项的组的材料：光学抗蚀剂，UV可固化有机材料、溶胶-凝胶材料，以及其任何组合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，UV可固化有机材料包括环氧丙烯酸酯。

11.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，

其中，所述第二材料选自包括以下项的组：SiO₂，Al₂O₃，HfO₂，TiO₂，TiN，TaN，Si₃N₄，以及其任何组合。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二纳米尺寸的细长凹陷(108)的最小直径(109)小于5nm。

13.一种将纳米狭缝创建到石墨烯层中的方法，包括以下步骤：

-提供石墨烯层(200)(S3)；

-根据权利要求1所述的方法将所述第一层(100)和所述第二层(107)提供到所述石墨烯层上(S1、S2)；并且

-将纳米狭缝刻蚀到所述石墨烯层中(S4)，其中，限定所述第二纳米尺寸的细长凹陷的所述第二层用作用于将所述纳米狭缝刻蚀到所述石墨烯层中的掩模层。