[发明专利]有机发光元件在审
申请号: | 201680079964.7 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN108886102A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 佐野彰洋;上田俊辅;舟生重昭 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C08G61/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光元件 空穴传输层 阳极 固化树脂 离子聚合 发光层 引发剂 阴极 空穴载流子 发光效率 化学掺杂 寿命特性 传导性 配置 | ||
1.一种有机发光元件,其特征在于:
包括阳极、空穴传输层、发光层和阴极,
所述空穴传输层配置在所述阳极与所述发光层之间,
所述空穴传输层包含离子聚合引发剂和固化树脂,
所述固化树脂具有通过所述离子聚合引发剂发生化学掺杂而产生的空穴载流子,
所述空穴传输层呈现欧姆传导性。
2.如权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于:
所述空穴传输层的电流密度j(A/m2)满足下述不等式(1),
式中,ε是所述空穴传输层的相对介电常数,ε0是真空的介电常数8.85×10-12[F/m],μ是所述空穴传输层的空穴的迁移率(m2/V/sec),e是基元电荷,n0是所述空穴传输层的空穴密度(个/m3),d是所述空穴传输层的膜厚(m)。
3.如权利要求2所述的有机发光元件,其特征在于:
所述空穴传输层的电流密度j(A/m2)满足下述不等式(2),
4.如权利要求1~3中任一项所述的有机发光元件,其特征在于:
由除空穴传输层外的有机层的几何电容提供有机发光元件的静电电容。
5.如权利要求2所述的有机发光元件,其特征在于:
所述空穴传输层在与所述阳极或所述发光层相邻接的界面的面积的90%以上的区域满足所述不等式(1)。
6.如权利要求1~5中任一项所述的有机发光元件,其特征在于:
在所述阳极与所述阴极之间施加+0.5V至-0.5V的范围的电压的条件下,所述有机发光元件的静电电容大致恒定。
7.如权利要求1~6中任一项所述的有机发光元件,其特征在于:
所述固化树脂包括将下述结构式(1)~(3)中的任一种单体聚合而形成的聚合物,
式中,R1~R7彼此独立地为选自氢、卤素、氰基、硝基、碳原子数1~22的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数2~22的直链状、支链状或环状的烯基、碳原子数2~22的直链状、支链状或环状的炔基、碳原子数6~21的芳基、碳原子数12~20的杂芳基、碳原子数7~21的芳烷基和碳原子数13~20的杂芳基烷基中的官能团,这些官能团为非取代或者被1个或多个卤素取代,m1和m2彼此独立地为0~5的整数,n1和n2彼此独立地为0~4的整数。
8.如权利要求1~7中任一项所述的有机发光元件,其特征在于:
所述离子聚合引发剂为下述结构式(4)~(6)中的任一种化合物,
式中,X-为Sb6-、(C6F5)4B-、CF3SO3-、PF6-、BF4-、C4F9SO3-或CH3C6H4SO3-,R11~R15彼此独立地为选自氢、卤素、氰基、硝基、碳原子数1~22的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数2~22的直链状、支链状或环状的烯基、碳原子数2~22的直链状、支链状或环状的炔基、碳原子数6~21的芳基、碳原子数12~20的杂芳基、碳原子数7~21的芳烷基和碳原子数13~20的杂芳基烷基中的官能团,s1、s2、t1、t2和t3彼此独立地为0~5的整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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