[发明专利]开口钝化球栅阵列焊盘在审
申请号: | 201680080133.1 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN108605414A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | D·D·金;M·F·维纶茨;C·H·尹;C·左;D·F·伯蒂;J·金;N·S·慕达卡特 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34;H01L23/31;H05K3/00;H05K1/11;H05K1/03 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈小刚;陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电凸块 无源基板 钝化层 组装件 开口 焊盘 包围 球栅阵列 钝化 归并 支撑 | ||
导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括导电凸块焊盘上的导电凸块。
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2016年2月1日提交的题为“OPEN-PASSIVATION BALL GRID ARRAY PADS(开口钝化球栅阵列焊盘)”的美国临时专利申请No.62/289,636的权益,该临时申请的公开通过援引被明确地整体纳入于此。
技术领域
本公开一般涉及集成电路(IC)。更具体而言,本公开涉及开口钝化球栅阵列焊盘。
背景
用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工艺。前端制程工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、分隔件、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。中部制程工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于:中部制程触点、通孔或者非常靠近半导体器件晶体管或其他有源器件的其他层。后端制程工艺可包括用于互连在前端制程和中部制程工艺期间创建的半导体器件的一系列晶片处理步骤。
现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体地,用于后端制程工艺中的半导体制造的导电材料镀敷的形成是工艺流程中日益挑战的部分。这在保持小特征大小方面尤其正确。保持小特征大小的同样挑战也适用于玻璃基无源(POG)技术,其中高性能组件(诸如,电感器和电容器)被构建在也可具有非常低损耗的高度绝缘基板上。
玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件,诸如,通常用于移动射频(RF)芯片设计(例如,移动RF收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。由于成本和功耗的考量,迁移到深亚微米工艺节点使得移动RF收发机的设计复杂性变得复杂。间隔考虑也影响移动RF收发机设计深亚微米工艺节点。例如,移动RF收发机的制造可包括在管芯区域边界处占据浪费空间并涉及增加成本的虚区域。
概述
导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括导电凸块焊盘上的导电凸块。
一种用于制造导电凸块组装件的方法可包括在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处制造导电凸块焊盘。该方法还可包括
将包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口与第二钝化层开口相归并。第二钝化层开口可包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘。该方法可进一步包括将导电材料沉积在导电凸块焊盘上。
导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括用于组装在导电凸块焊盘上的装置。
这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会,本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到,这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而,要清楚理解的是,提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的,且无意作为对本公开的限定的定义。
附图简述
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