[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法

说明书

本发明提供一种在高温高湿环境下也具有高阻隔性的阻气膜及其制造方法。阻气膜依次包括膜基材、有机层及二氧化硅层，上述二氧化硅层含有在硅原子与氧原子之间至少含有共价键的二氧化硅高分子，并且上述有机层的碳原子浓度为50％以上。一种阻气膜的制造方法，其中，在膜基材上形成碳原子浓度为50％以上的有机层，在上述有机层上涂布含有硅化合物的涂布液以形成含有该硅化合物的层，用真空紫外线照射含有上述硅化合物的层以形成含有在硅原子与氧原子之间至少具有共价键的二氧化硅高分子的二氧化硅层。

技术领域

本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。

背景技术

作为阻气膜，以往公知有在塑料膜的表面形成有无机层的膜。近年来，如专利文献1或专利文献2所见，还开发了包括如下阻气层的阻气膜，该阻气层通过对作为玻璃涂层剂而公知的聚硅氮烷溶液的涂膜进行真空紫外线照射处理而获得。在如专利文献1或专利文献2中所记载的阻气膜中，在上述阻气层和基材之间设置由二氧化硅粒子和树脂形成的层或由聚硅氧烷形成的层，从而实现维持耐久性和高阻隔性。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5741489号

专利文献2：日本特开2013-39786号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明人对专利文献1或专利文献2所述的阻气膜进行研究的结果，发现在高温高湿环境下阻隔性降低的例子。本发明的课题在于提供一种阻气膜及其制造方法，该阻气膜作为包括由聚硅氮烷溶液等的涂膜形成的二氧化硅层的阻气膜，即使在高温高湿环境下也具有高阻隔性。

用于解决技术课题的手段

为了解决该课题，本发明人对设置在阻气层和基材之间的层进行了各种研究，并推测在专利文献1或专利文献2所公开的层中，因在高温环境下释放出二氧化硅粒子的吸附水或聚硅氧烷中的未反应部分发生反应而释放出醇或水引起的阻气层的劣化导致阻气膜的阻隔性降低。本发明人基于该推测进行了进一步的研究，并发现了作为设置在阻气层和基材之间的层的优选组成，以至完成了本发明。

即，本发明提供了以下[1]至[16]。

[1]一种阻气膜，其依次包括膜基材、第1有机层及二氧化硅层，其中，

所述二氧化硅层含有在硅原子与氧原子之间至少具有共价键的二氧化硅高分子，

所述第1有机层的碳原子浓度为50％以上。

[2]根据[1]所述的阻气膜，其中，所述第1有机层与所述二氧化硅层直接接触。

[3]根据[1]或[2]所述的阻气膜，其还包括无机层，

所述第1有机层与所述无机层直接接触。

[4]根据[1]或[2]所述的阻气膜，其还包括无机层，

依次包括所述膜基材、所述第1有机层、所述二氧化硅层及所述无机层。

[5]根据[3]或[4]所述的阻气膜，其中，所述无机层为蒸镀层。

[6]根据[1]至[5]中任一项所述的阻气膜，其中，所述第1有机层的原子数比为O/C＝0.050～1.0且Si/C＝0.00～0.10。

[7]根据[1]至[6]中任一项所述的阻气膜，其中，所述第1有机层的膜厚为0.5～10μm。

[8]根据[1]至[7]中任一项所述的阻气膜，其中，所述二氧化硅层的膜厚为50～1000nm。