[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

基板处理装置的基板保持部将基板(9)保持为水平状态。基板旋转机构使基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴J1为中心旋转。顶板(5)与基板(9)的上表面相向，并且以中心轴(J1)为中心旋转。气体供给部向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，该下方空间是顶板(5)的下方的空间。离子生成部(8)生成离子，并向来自气体供给部的处理环境用气体供给该离子。此外，在顶板(5)位于比搬入基板(9)时的位置更靠下方的位置的状态下，使基板保持部与顶板(5)旋转，并且向上述下方空间供给包含离子的处理环境用气体，形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。由此，能够通过简单的构造对顶板(5)进行除电。

技术领域

本发明涉及处理基板的技术。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称“基板”)的制造工序中，对基板进行各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀图案的基板上供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等药液处理。此外，在药液处理结束后，对基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。

日本特开2003-100694号公报(文献1)的基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡爪、以及与基板的上方相向配置的圆板状的遮蔽板。旋转卡爪固定在卡爪旋转驱动机构的旋转轴的上端。遮蔽板的上表面固定有其他旋转轴，该其他旋转轴沿着与旋转卡爪的旋转轴共用的轴线延伸。该其他旋转轴形成为中空，在其内部插通有用于向基板的上表面供给处理液的处理液喷嘴。此外，在该其他旋转轴的内侧面与处理液喷嘴的外侧面之间形成有用于供干燥基板用的氮气流通的氮气流通路。

在文献1的基板处理装置中，在对基板进行干燥处理时，遮蔽板以与基板几乎相同的速度沿相同方向旋转。此外，从上述氮气流通路向基板与遮蔽板之间的空间供给氮气。由此，在基板与遮蔽板之间产生稳定的氮气气流，并通过该气流持续置换基板与遮蔽板之间的环境。结果，可以快速干燥基板，并且防止因从基板甩掉的处理液的溅起而导致的基板的再次污染。

需要说明的是，在这样的基板处理装置中，由于遮蔽板的下表面与氮气气流的摩擦，遮蔽板的下表面有可能带静电。若遮蔽板的下表面带电，则有可能导致遮蔽板的下表面吸附环境中的颗粒，并且该颗粒落到干燥处理后的基板上，从而污染干燥处理后的基板。此外，也有可能因遮蔽板与基板之间的放电而损伤基板上的配线。此外，作为基板处理中使用的处理液，可燃性药液的使用等也可能受到限制。

因此，在文献1的基板处理装置中，通过向干燥处理后的遮蔽板的下表面照射微弱X射线来对遮蔽板的下表面进行除电，该微弱X射线是具有除电作用的电磁波。可以在遮蔽板在干燥处理前被配置成接近基板的状态下，使挡溅板退避到下方，从而向遮蔽板照射微弱X射线。

另外，在专利文献1的基板处理装置中，由于需要向遮蔽板照射X射线的机构，因此有可能导致装置构造复杂化以及大型化。此外，处理喷嘴也有可能因与在遮蔽板的旋转轴与处理喷嘴之间的氮气流通路内流通的氮气摩擦而带电，使处理液等附着在处理喷嘴上。由于该处理喷嘴收纳在遮蔽板的旋转轴的内部，因此难以向该处理喷嘴照射X射线来进行除电。

发明内容

本发明用于处理基板的基板处理装置中，其目的在于通过简单的构造对相向构件进行除电。本发明也用于处理基板的基板处理方法中。