[发明专利]液滴沉积头有效
申请号: | 201680080523.9 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN108883634B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 高松远;彼得·马迪洛维奇;约翰·菲利普·塔特姆;亚历山德鲁·卡扎库 | 申请(专利权)人: | 赛尔科技有限公司 |
主分类号: | B41J2/045 | 分类号: | B41J2/045;B41J2/16;B41J2/14 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李薇;杨明钊 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 | ||
1.一种液滴沉积头,其具有连接到液滴喷嘴和流体储槽的流体腔室;以及压电致动器元件,其至少部分地通过上面具有电极的流体腔室壁形成,所述元件能够响应于驱动电压移位以在所述腔室中产生压力,从而使流体液滴从所述腔室喷出通过所述喷嘴,其中所述电极配备有钝化涂层,其至少部分地包括层压制件,所述层压制件包括:最接近所述电极或接触所述电极的无机绝缘层以及位于所述无机绝缘层之上的有机绝缘层,其中所述绝缘层中的缺陷往往会在其间的界面处不对齐,且其中所述无机绝缘层具有小于或等于500nm的厚度且所述有机绝缘层具有小于3μm的厚度。
2.根据权利要求1所述的液滴沉积头,其中所述无机绝缘层具有小于或等于100nm的厚度且所述有机绝缘层具有小于或等于1.5μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的液滴沉积头,其中所述层压制件包括多于一个无机绝缘层和多于一个有机绝缘层,且至少一个有机绝缘层安置于两个无机绝缘层之间。
4.根据权利要求3所述的液滴沉积头,其中所述层压制件包括两个无机绝缘层和两个有机绝缘层。
5.根据权利要求3所述的液滴沉积头,其中所述层压制件具有顶部绝缘层,其为有机绝缘层。
6.根据权利要求5所述的液滴沉积头,其中所述顶部绝缘层在其中包含孔口。
7.根据权利要求1或权利要求3所述的液滴沉积头,其中所述钝化涂层包含无电极金属层。
8.根据权利要求1或权利要求3所述的液滴沉积头,其中无机绝缘层具有大于二氧化硅的相对电容率。
9.根据权利要求1或权利要求3所述的液滴沉积头,其中无机绝缘层包括非晶形氧化铪。
10.根据权利要求1或权利要求3所述的液滴沉积头,其中所述有机绝缘层包括聚对二甲苯C。
11.根据权利要求1或权利要求3所述的液滴沉积头,其中所述钝化涂层包含提供于所述电极上的缓冲层或晶种层。
12.根据权利要求1所述的液滴沉积头,其为喷墨打印头。
13.一种用于制造液滴沉积头的方法,所述液滴沉积头具有连接到液滴喷嘴和流体储槽的流体腔室;以及压电致动器元件,其至少部分地通过上面具有电极的流体腔室壁形成,所述元件能够响应于驱动电压移位以在所述流体腔室中产生压力,从而使流体液滴从所述流体腔室喷出通过所述喷嘴,其中所述方法包括通过在小于或等于150℃的温度下使用第一沉积技术使厚度小于500nm的无机绝缘层沉积于电极上或上方且在小于或等于150℃的温度下使用第二沉积技术使厚度小于3μm的有机绝缘层沉积于所述无机绝缘层上来在所述电极上形成钝化涂层,所述第二沉积技术为与所述第一沉积技术不同的技术。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述无机绝缘层的沉积在等于或低于110℃的温度下采用原子层沉积。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述有机绝缘层的沉积在等于或低于110℃的温度下采用等离子体增强化学气相沉积。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述有机绝缘层的沉积包括沉积直到1.0μm或1.2μm或1.5μm的厚度。
17.根据权利要求13所述的方法,其中所述钝化涂层的形成包括沉积多于一个无机绝缘层和多于一个有机绝缘层以使得至少一个有机绝缘层安置于两个无机绝缘层之间。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述钝化涂层的形成包括沉积无机绝缘层作为顶部绝缘层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛尔科技有限公司,未经赛尔科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680080523.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。