[发明专利]高纯度三甲硅烷基胺、制备方法和用途

说明书

本发明公开了一种组合物，其包含：三甲硅烷基胺和小于5ppmw的卤素。本发明还公开了一种制备甲硅烷基胺的方法，该方法包括使氨和包含氨基硅烷官能团的化合物在足以引起反应的条件下混合以形成甲硅烷基胺和副产物，其中所述包含氨基硅烷官能团的化合物根据式(I)R¹N(R²)_a(SiH₃)_2‑a(I)，其中R¹为有机聚合物、C_1‑20烃基基团或‑SiR³₃¹，其中R³为C_1‑6烃基，R²为C_1‑20烃基基团、H、或‑SiR³₃¹，其中R³如上定义，下标a为0或1，前提条件是除R¹为苯基，R²不为苯基之外，R¹和R²可相同或不同。

相关专利申请的交叉引用

无

技术领域

本发明整体涉及包含三甲硅烷基胺和小于5ppmw卤素的组合物、制备甲硅烷基胺的方法、用三甲硅烷基胺组合物制备膜的方法、以及由三甲硅烷基胺组合物产生的膜。

背景技术

三甲硅烷基胺(TSA)具有工业应用，包括在光伏和电子应用中用作含硅膜沉积的前体。用于制备TSA的显著工业过程包括一氯甲硅烷与氨的反应。除TSA之外，该过程还产生含氯副产物，诸如氯化铵。这些副产物在TSA的最终应用中是不希望的。例如，卤素在使用TSA以化学气相沉积法形成含硅膜的过程中有害。因此，在这些应用中期望可能的最低量卤素。

TSA也通过二甲硅烷基胺反应并去除作为副产物的氨产生。然而，卤素也可存在于由该过程产生的TSA中，因为卤素可在制备二甲硅烷基胺的过程中引入。

已经开发出产生TSA后从其去除卤素的方法。然而，减少TSA中的卤素很困难，并且所用方法可显著增加产生TSA的成本，增加副产物，降低收率，并且无法完全消除卤素。

因此，需要一种低卤素或不含卤素的TSA组合物，以及以良好收率产生低卤素或不含卤素的TSA组合物的经济方法。

发明内容

本发明涉及一种组合物，其包含三甲硅烷基胺和小于5ppmw的卤素。

本发明还涉及一种制备甲硅烷基胺的方法，该方法包括：使氨和包含氨基硅烷官能团的化合物在足以引起反应的条件下混合，以形成甲硅烷基胺和副产物，其中所述化合物根据式(I)

R¹N(R²)_a(SiH₃)_2-a (I)，

其中R¹为有机聚合物、C_1-20烃基基团或-SiR³₃，其中每个R³独立地为C_1-6烃基，每个R²独立地为C_1-20烃基基团、H、或-SiR³₃¹，其中每个R³独立地如上定义，下标a为0或1，前提条件是除R¹为苯基，R²不为苯基之外，R¹和R²可相同或不同。

本发明还涉及另一种制备甲硅烷基胺的方法，该方法包括：

i)混合如下组分：

A)包含伯胺或仲胺的化合物，

B)甲硅烷(SiH₄)，以及