[发明专利]串联太阳能电池及制造这种太阳能电池的方法

权利要求书

1.串联太阳能电池，包括基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈；

所述基于硅晶片的太阳能电池具有第一晶片表面和第二晶片，所述第一晶片表面用于接收辐射，所述第二晶片与所述第一晶片表面相对；

所述薄膜太阳能电池结构具有第一膜表面和第二膜表面，所述第一膜表面用于接收辐射，所述第二膜表面与所述第一膜表面相对；

所述薄膜太阳能电池结构的所述第二膜表面与所述基于硅晶片的太阳能电池的所述第一晶片表面接合，

所述基于硅晶片的太阳能电池和所述薄膜太阳能电池结构的堆栈设置有至少一个导电元件，所述导电元件延伸通过所述第一膜表面与所述第二晶片表面之间的堆栈，以及在所述第二膜表面上设置有接触垫片，并且在所述第一膜表面与所述接触垫片之间形成导电路径，

其中，所述硅晶片太阳能电池包括基底导电层，所述基底导电层位于第一电极层与第二电极层之间，以及所述第一电极层与所述基底导电层之间布置有钝化隧道层。

2.根据权利要求1所述的串联太阳能电池，其中，所述导电元件布置在从所述第一膜表面延伸至所述第二晶片表面的通孔中。

3.根据权利要求1或2所述的串联太阳能电池，其中，所述第一晶片表面包含第一极性的第一电极层，以及所述第二晶片表面包含第二极性的第二电极层，所述第二极性与所述第一极性相反。

4.根据权利要求3所述的串联太阳能电池，其中，所述第一膜表面包含第一极性的第三电极层，以及所述第二膜表面包含第二极性的第四电极层。

5.根据权利要求4所述的串联太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括复合层，所述复合层位于所述第一电极层与所述第四电极层之间，用于电联接所述第一电极层和所述第四电极层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述薄膜太阳能电池结构包括吸收层，所述吸收层位于所述第三电极层和所述第四电极层之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述第一膜表面上布置有前接触结构，并且所述前接触结构电联接至所述至少一个导电元件。

8.根据前述权利要求中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述第二晶片表面上布置有后表面接触结构，所述后表面接触结构与所述第二晶片表面上的至少一个接触垫片隔离。

9.根据前述权利要求3至6中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述导电元件通过隔离侧壁至少与所述吸收层和所述第四电极层隔离。

10.根据权利要求9所述的串联太阳能电池，其中，所述导电元件还通过所述隔离侧壁与所述复合层和所述第一电极层隔离。

11.根据权利要求9或10所述的串联太阳能电池，其中，所述导电元件还通过所述隔离侧壁与所述第三电极层隔离。

12.根据权利要求10或11所述的串联太阳能电池，其中，所述导电元件还通过所述隔离侧壁与所述基底导电层和所述第二电极层隔离。

13.根据前述权利要求1至12中任一项所述的串联太阳能电池，其中，在所述串联太阳能电池的边缘处，所述第一电极层、所述复合层、所述第四电极层、所述吸收层和所述第三电极层被边缘隔离层覆盖。

14.根据前述权利要求1至13中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述第二电极层与所述基底导电层之间布置有第二钝化隧道层。

15.根据前述权利要求中任一项所述的串联太阳能电池，其中，所述吸收层包括选自以下群组中的一种，所述群组包括钙钛矿材料层、CIGS化合物层、基于薄膜硅的层、基于III-V半导体的层、基于InP、InGaP或GaAs化合物或基于纳米线的层。