[发明专利]用于离子注入系统的含锡掺杂剂组合物、系统和方法

权利要求书

1.一种使用含Sn掺杂剂材料进行离子注入过程的方法，所述方法包括以下步骤：

将含Sn掺杂剂源储存在储存及递送容器中；

所述含Sn掺杂剂源的特征在于具有以下属性(i)和(ii)或者具有以下属性(i)、(ii)且具有以下属性(iii)至(v)中的一个或多个属性：(i)储存和递送期间的稳定性；(ii)在室温(25℃)下大于或等于20托的蒸气压；(iii)生成能够掺杂大于10¹¹原子/cm²的离子束；(iv)在室温下以液体形式自然存在；以及(v)包括Sn、H和卤素原子，

其中所述含Sn掺杂剂源具有代表性式R_nS_nX_4-n，其中n＝1至4，R是包括碳(C)和/或氢(H)的官能团，并且X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素；或具有代表性式R_nS_n(C_yX_z)_4-n，其中n＝0至4，X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素，并且R包括C和/或H原子，并且y和z的值根据所述代表性式R_nS_n(C_yX_z)_4-n中的C-C键而变化，使得所述C_yX_z基团中的每个原子具有价电子闭壳；或具有代表性式R_4-y-zS_n(OR’)_yX_z，其中z＝0至3，y＝1至4，X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素，并且R和R'包含C和/或H原子的混合物；

从所述储存及递送容器中回收呈气相的所述含Sn掺杂剂源；

使所述含Sn掺杂剂源蒸气流动；以及

将所述含Sn掺杂剂源蒸气引入离子源室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含Sn掺杂剂源具有代表性式R_nSnX_4-n，其中n＝1至3，R是包括碳(C)和/或氢(H)的官能团，并且X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含Sn掺杂剂源具有代表性式R_nSnX_4-n，其中n＝4，R是包括碳(C)和/或氢(H)的官能团，并且X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含Sn掺杂剂源具有代表性式R_nSn(C_yX_z)_4-n，其中n＝0至4，X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素，并且R包括C和/或H原子，并且y和z的值根据所述代表性式R_nS_n(C_yX_z)_4-n中的C-C键而变化，使得所述C_yX_z基团中的每个原子具有价电子闭壳。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含Sn掺杂剂源具有代表性式R_nSn(C_yX_z)_4-n，其中n＝1至3，X是选自由F、Cl、Br和I构成的组的卤素，并且R包括C和/或H原子，并且y和z的值根据所述代表性式R_nS_n(C_yX_z)_4-n中的C-C键而变化，使得所述C_yX_z基团中的每个原子具有价电子闭壳。