[发明专利]通过激光照射金属草酸盐层制造部件或支撑微结构的方法在审
申请号: | 201680082107.2 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN108699701A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 瓦莱里耶·巴科;菲利浦·塔亚德;华·勒特隆;伊莎贝尔·帕凯;皮埃尔-费朗索瓦·卡尔蒙;亨利·卡蒙;韦罗妮克·科内代拉 | 申请(专利权)人: | 保尔·萨巴梯埃—图卢兹第三大学;法国国家科学研究中心 |
主分类号: | C23C24/08 | 分类号: | C23C24/08;C23C18/08;C23C18/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 高钊;李小山 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微结构 金属草酸盐 陶瓷 金属 复合部件 激光曝光 激光照射 制造部件 支撑 复合 应用 制造 | ||
本发明涉及通过激光曝光,由金属草酸盐制造金属、陶瓷或复合部件或金属、陶瓷或复合支撑微结构的方法,以及通过所述方法获得的部件和微结构及所述部件和微结构的应用。
技术领域
本发明涉及通过由金属草酸盐开始的激光照射来制造金属、陶瓷或复合部件或制造支撑金属、陶瓷或复合微结构的方法,并且还涉及通过所述方法获得的部件和微结构,以及所述部件和微结构的应用。
背景技术
透明导电金属和/或金属氧化物(例如,ITO(氧化铟锡))层已经广泛应用于液晶屏、平面屏装置、等离子体屏、触摸屏的透明导电涂层,以及与电子墨水、有机发光二极管、光伏电池、抗静电沉积物和电磁干扰屏蔽有关的应用。在基材上沉积薄ITO层的方法包括:阴极溅射、热蒸发、脉冲激光沉积(PLD)、化学气相沉积和溶胶-凝胶法。然而,由于这些方法需要非常高的真空和/或高温,因此这些方法需要复杂和/或昂贵的设备。而且,上述方法无法在基材上形成微结构和/或复杂图案。
此外,专利US 5 281 447描述了一种通过将草酸盐施加至基材上并使所述草酸盐暴露于能量源来制造支撑金属结构的方法,所述草酸盐对应于下式:
其中M是第VIII族金属,如Ni、Pt、Os、Rh、Ru、Ir或Pd,chal是氧、硫、硒或碲原子,Lx和L’y(相同或不同)是基于硫的配体或基于第Va族元素(即氮、磷、砷、锑或铋)中的一者的配体,并且x和y等于0或1。使用掩模或通过使用能量束来产生金属结构,其中该能量束使得可以根据期望的图案来绘制所述结构。特别地,将溶于甲醇中的对应于式Pd(II)(草酸盐)(CH3CN)2的草酸钯复合物溶液沉积在非金属基材上并干燥,以在所述基材上形成膜。然后将该膜暴露于电子束或暴露于无过滤器的Xe-Hg弧光灯中并用溶剂漂洗以在所述基材上形成钯金属结构。关于自发分解,为了稳定一些所用的复合物,如固体形式或溶液中的草酸钯(II),配体Lx和L’y的存在被描述为必不可少的。然而,所述配体Lx和L’y的存在不足以稳定某些复合物,如双(膦)镍草酸盐。此外,没有对草酸盐薄膜的制备和暴露于能量源的条件进行优化以制造复杂的形状、图案和/或呈现出良好清晰度的微结构。这是由于使用草酸盐溶液会导致草酸盐以大颗粒和/或不均匀尺寸的颗粒形式不受控制地结晶。此外,在暴露于能量源之后,含氮配体如(CH3CN)2的存在可能会导致形成不需要的相。最后,所使用的能量源并不集中。
为了在基材上制造微结构,特别是在微电子领域中,已经研究了诸如丝网印刷、印刷电子或光刻之类的替代方法。然而,这些方法不能在保证结构化和连续沉积的同时形成复杂的图案。这些方法也不能使用弯曲的基材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保尔·萨巴梯埃—图卢兹第三大学;法国国家科学研究中心,未经保尔·萨巴梯埃—图卢兹第三大学;法国国家科学研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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