[发明专利]创建具有富铟侧表面和底表面的有源沟道的设备和方法

说明书

可形成具有含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的晶体管装置及用于制作该晶体管装置的过程，其在制作例如在三栅或环栅（GAA）装置中使用的那些有源沟道的鳍形有源沟道时使能改进的载流子迁移率。在一个实施例中，含铟的三元或以上的III‑V族化合物可沉积在子结构的重构的上表面上的窄沟槽中，这可产生具有富铟侧表面和富铟底表面的鳍。这些富铟表面将邻接晶体管的栅氧化物，并且相对于含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的常规同质组成可产生高电子迁移率和改进的切换速度。

技术领域

本描述的实施例通常涉及微电子装置领域，以及更具体来说涉及在具有富铟表面的微电子晶体管中形成有源沟道以增加载流子迁移率。

背景技术

更高性能、更低成本、集成电路组件的增加小型化以及集成电路的更大封装密度是对于微电子装置的制作的微电子工业的现行目标。为了实现这些目标，微电子装置内的晶体管必须按比例缩小、即变更小。连同晶体管的尺寸的减少，还已经存在采用它们的设计、所使用的材料和/或它们的制作过程中的改进来改进它们的效率的推动力。这类设计改进包括唯一结构的开发，所述唯一结构为例如非平面晶体管，包括三栅晶体管、FinFET、TFET、欧米伽场效应管和双栅晶体管。

附图说明

在本说明书的总结部分具体指出并且明确要求本公开的主题。由以下结合附图的描述和所附权利要求，本公开的上述及其它特征将变得更加显而易见。理解的是，附图仅描绘根据本公开的若干实施例，并且因此并不被视为对它的范围的限制。通过使用附图，将采用附加的特异性和细节来描述本公开，使得能够更易于确定本公开的优势，其中：

图1-16是根据本描述的另一个实施例、具有非平面晶体管的子结构的含铟的三元或以上的III-V族化合物有源沟道的制作的斜截面视图、侧截面视图和图解说明。

图17-24是根据本描述的实施例的、非平面晶体管的含铟的三元或以上的III-V族化合物有源沟道的绝缘缓冲器的制作的斜截面和侧截面视图。

图25示出根据本描述的一个实现的计算装置。

具体实施方式

在以下详细描述中，参照附图，所述附图以说明的方式示出其中可实践要求主题的具体的实施例。充分详细地描述这些实施例，以便使本领域的技术人员能够实践本主题。要理解的是，各个实施例虽然有所不同，但不一定相互排斥。例如，本文中结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可在其它实施例内实现，而不背离要求主题的精神和范围。本说明书内提到“一个实施例”或“实施例”意思是结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本描述所包含的至少一个实现中。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用不一定指相同实施例。另外要理解，可在不背离要求主题的精神和范围的情况下，修改每个所公开实施例内的单独元件的位置或布置。因此，以下详细的描述不领会为限制意义，并且本主题的范围仅由适当解释的所附权利要求连同所附权利要求所授权的等效物的全部范围来限定。附图中，遍及若干视图，相似附图标记指相同或相似元件或功能性，以及其中所描绘的那些元件不一定相互按比例绘制，而是可放大或缩小的单独元件，以便更易于理解本描述的上下文中的元件。

如本文中所使用的术语“之上”、“到”、“之间”和“上”指一个层相对于其它层的相对位置。另一个层“之上”或“上”或者接合“到”另一个层的一个层可与另一层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。层“之间”的一个层可与层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。