[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及对n型单晶硅基板(1)进行加热，从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散，形成p型扩散层(7)的热处理工序，在pn分离工序之前，形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7)，去除BSG膜(2)。进而，在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前，包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造方法，特别涉及光电变换效率的提高。

背景技术

以往，在太阳能电池中，作为一个例子，如专利文献1所示公开了一种方法，在该方法中，作为向作为光入射面的受光面、或者作为与受光面相向的面的背面的杂质扩散方法而使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等，使扩散源成膜之后，在氮气环境中对基板和成为扩散源的膜进行加热，使杂质向基板内扩散。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-247364号公报

发明内容

然而，在上述专利文献1所述的太阳能电池的制造方法中，在基板上形成磷硅酸盐玻璃(PSG：Phosphorus Silicate Glass)膜、或者硼硅酸盐玻璃(BSG：Boron SilicateGlass)膜之后，在氮气环境中进行用于杂质扩散的热处理。因此，在成膜时，磷或者硼等杂质蔓延到基板背面，从附着的生成物还同时产生向背面的杂质扩散，所以有时发生意想之外的向背面的杂质混入。杂质的混入导致太阳能电池的载流子寿命降低。另外，存在上述成膜物由于膜厚厚等理由而难以加工、再加上上述杂质的混入而易于成为电气的短路的原因的问题。

本发明是鉴于上述完成的，其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，并且排除成膜物所致的加工阻碍，改善电气性绝缘，得到载流子寿命长的太阳能电池。

本发明为了解决上述课题并达成目的，提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：使固相扩散源成膜于具有相对置的第1主面和第2主面的第1导电类型的半导体基板的第1主面的工序；去除在成膜的工序中形成于第2主面的生成物的工序；对被去除生成物的半导体基板进行加热，从固相扩散源在第1主面侧形成第2导电类型的第1扩散层的工序；在半导体基板的第2主面形成具有第1导电类型的第2扩散层的工序；去除固相扩散源的工序；以及将第2扩散层和第1扩散层电气地分离的工序。在将第2扩散层和第1扩散层电气地分离的工序之前实施去除固相扩散源的工序。

根据本发明，起到如下效果：在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到作为背面的第2主面，并且排除成膜物所致的加工阻碍，改善电气性绝缘，能够得到载流子寿命长的太阳能电池。

附图说明

图1是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的流程图。

图2(a)至(d)是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的工序剖面图。

图3(a)至(d)是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的工序剖面图。

图4是示出实施方式1的太阳能电池的制造工序中的热处理工序的关于炉内温度和环境状态的时序图的说明图。

图5是示出实施方式1的太阳能电池的制造工序的主要部分的说明图。

图6是示出实施方式2的太阳能电池的制造方法的流程图。