[发明专利]成膜装置

说明书

本发明的目的在于提供将装置成本抑制为最低限，且有效地抑制在成膜对象的基板产生翘曲、破裂的现象且能够发挥高处理能力的成膜装置。并且，本发明具有基板堆叠工作台(3A以及3B)，其分别载置基板(10)，并具有对载置的基板进行吸附的吸附机构(31)以及对载置的基板进行加热的加热机构(32)。利用基板移载机构(8)对基板堆叠工作台(3A以及3B)执行以速度(V0)依次穿过薄膜形成喷嘴(1)的喷射区域(R1)内的搬运动作。上述搬运动作包括巡回搬运处理，该巡回搬运处理将基板堆叠工作台(3A以及3B)中的、作为所载置的全部基板(10)穿过了喷射区域(R1)的一方基板载置工作台(3)，以巡回速度向另一方基板载置工作台(3)的后方巡回配置。

技术领域

本发明涉及用于太阳电池、电子设备等，并在基板上成膜薄膜的成膜装置。

背景技术

以往，在搬运基板且在基板整个面形成薄膜的成膜装置中，为了实现高处理能力(处理量)，需要在无时间缝隙地连续地成膜处理环境下搬运成膜处理对象的基板。

因此，进行基板搬运的以往的成膜装置通常通过输送机等搬运多个基板，并且在成膜处理中、搬运中利用另外设置的加热机构进行加热处理且在基板上成膜薄膜。作为这样的成膜装置例如能够举出在专利文献1中公开的托盘式直线排列成膜装置，上述成膜装置通过辊式输送机搬运堆叠有基板的托盘。作为通过辊式输送机搬运基板的其他成膜装置，存在专利文献2中公开的溅射装置。

另外，例如在专利文献3中公开了具有加热机构且具备多个堆叠基板的加热块并使其循环的半导体制造装置。该半导体制造装置通过使多个加热块循环，能够实现高处理能力且较缓和地进行加热处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开平9－279341号公报

专利文献2:国际公开第2013/183202号

专利文献3:特开昭63－166217号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在专利文献1中公开的成膜装置中，由于基板仅通过自重堆叠于托盘，因此若在该状态下在成膜处理中迅速加热基板(以及托盘)，则基板中的(上表面与下表面的)温度梯度变大，存在基板上产生翘曲、破裂的问题点。另外，在专利文献2中公开的溅射装置中，没有针对加热机构的公开内容，作为需要加热处理的成膜装置，并不适用。

另外，在专利文献3中公开的半导体制造装置中，出于连续将加热块搬运至气体供给喷嘴下的必要性，需要具备多个(根据图1为8个以上)的加热块，进而，存在装置成本高出多个加热块用的电源布线或真空配管的连接变得复杂的部分这一问题点。另外，若增加加热块的数量则成膜处理时间超过必要时间而有可能招致成膜时的处理能力的降低。

并且，由于在单纯将基板(晶圆)载置于加热块上的状态下进行加热处理，因此存在若在基板内产生温度梯度则立即在基板产生翘曲、破裂这一问题点。若在基板产生翘曲、破裂，则引发基板的平面度破坏、成膜品质的均匀性恶化的问题点。

在本发明中，目的在于提供解决上述那样的问题点，将装置成本抑制为最低限，且有效地抑制在成膜对象的基板上产生翘曲、破裂的现象的能够发挥高处理能力的成膜装置。

用于解决课题的手段