[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序在审
申请号: | 201680082674.8 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN108885968A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 齐藤一人;八岛司 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/205;H01L21/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制程 搬送室 保养 衬底 预备室 衬底处理装置 生产 半导体器件 大气压状态 继续执行 优先执行 真空状态 减压 自动地 连结 制造 | ||
1.衬底处理装置,其具备:
对衬底实施处理的处理室;
在减压状态下实施衬底的搬送的第一搬送室;
在大气压状态下实施衬底的搬送的第二搬送室;
将所述第一搬送室与所述第二搬送室连结的、能够减压的预备室;和
控制部,其控制所述预备室并执行所述预备室的保养制程,控制所述处理室并执行所述处理室的生产制程,
在所述衬底处理装置中,所述控制部若在执行所述保养制程的过程中收到执行所述生产制程的指示,则暂时停止所述保养制程并优先执行所述生产制程,在所述生产制程结束后,继续执行暂时停止了的所述保养制程。
2.半导体器件的制造方法,其具有执行生产制程从而对衬底进行处理的工序、和执行保养制程从而调节各室内的气氛的工序,所述半导体器件的制造方法中,若在执行保养制程的过程中收到执行所述生产制程的指示,则暂时停止所述保养制程并优先执行所述生产制程,在所述生产制程结束后,继续执行暂时停止了的所述保养制程。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为基于被搬送至所述预备室内的所述衬底的张数来执行所述保养制程。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述保养制程构成为对所述预备室内进行循环吹扫。
5.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述保养制程构成为对所述预备室内进行泄露检查。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为在所述保养制程的优先级低于所述生产制程的优先级的情况下将所述保养制程暂时停止。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为在将所述保养制程暂时停止时,使所述预备室处于封锁状态。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为在所述保养制程暂时停止的情况下,即使是在规定步骤的中途,也从所述规定步骤的最初开始再次执行。
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为若收到所述生产制程,则根据是否执行了所述保养制程的规定步骤,来继续执行所述保养制程。
10.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为若收到所述生产制程,则根据作为所述保养制程而执行的循环吹扫的次数,来确定继续执行所述保养制程、或执行所述生产制程。
11.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述控制部构成为若收到所述生产制程,则对直至所述保养制程结束为止的时间与使用所述预备室执行所述生产制程的情况下的时间相加而得到的时间、与将所述保养制程暂时停止而仅使用未执行所述保养制程的预备室来执行所述生产制程的情况下的时间进行比较。
12.程序,其是在下述衬底处理装置中执行的程序,所述衬底处理装置具备:
对衬底实施处理的处理室;
在减压状态下实施衬底的搬送的第一搬送室;
在大气压状态下实施衬底的搬送的第二搬送室;
将所述第一搬送室与所述第二搬送室连结的预备室;和
控制部,其分别控制所述预备室的保养制程及所述处理室的生产制程,
所述程序使控制部执行如下步骤:
若在执行所述保养制程的过程中,存在执行所述生产制程的指示,则执行将所述保养制程暂时停止并优先执行所述生产制程的步骤,和在所述生产制程结束后,继续执行暂时停止了的所述保养制程的步骤。
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