[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，具备：

在半导体基板(100、200)上形成的隧道氧化物层(104、204)、

在所述隧道氧化物层(104、204)上形成的第1导电型的半导体层(106、206)、

在所述半导体层(106、206)上形成的保护膜(107、207)、和

从所述保护膜(107、207)上将所述保护膜(107、207)贯通并且与所述半导体层(106、206)接触而形成的电极(111、211)，

所述电极(111、211)为含有玻璃粒子的烧成电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述保护膜(107、207)的材料含有硅化物。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，所述半导体层(106、206)的膜厚为5nm以上且不到100nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池，其中，所述保护膜(107、207)的膜厚为5nm以上且不到200nm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，其中，所述保护膜(107、207)的硬度比所述半导体层(106、206)的硬度高。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板(100、200)的导电型为第1导电型。

7.一种太阳能电池的制造方法，其中，

在半导体基板(100、200)上形成隧道氧化物层(104、204)，

在所述隧道氧化物层(104、204)上形成第1导电型的半导体层(105、205)，

在400℃以上的温度下对所述半导体层(105、205)进行热处理，

在被热处理的所述半导体层(106、206)上形成保护膜(107、207)，

在所述保护膜(107、207)上印刷电极(111、211)，

通过烧成，使所述电极(111、211)与所述半导体层(106、206)电连接。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在所述隧道氧化物层(104、204)上形成第1导电型的所述半导体层(105、205)为：

在所述隧道氧化物层(104、204)上形成本征半导体层，

通过在400℃以上的温度下对所述本征半导体层进行热处理，使第1导电型的掺杂剂在所述本征半导体层内扩散，形成第1导电型的所述半导体层(105、205)。

9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在形成所述隧道氧化物层(104、204)之前，在所述半导体基板(100、200)上选择性地形成第1导电型的杂质扩散区域(112)，

将所述电极(111、211)印刷至所述保护膜(107、207)上的、平面视图中与形成有所述杂质扩散区域(112)的位置对应的位置。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在所述隧道氧化物层(104、204)上形成第1导电型的半导体层(105、205)，同时，在400℃以上的温度下对所述半导体层(105、205)进行热处理。

11.根据权利要求7-10中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，对所述半导体层(105、205)进行热处理时的峰值温度、及通过烧成使所述电极(111、211)与所述半导体层(106、206)电连接时的峰值温度比形成所述保护膜(107、207)时的温度高。

12.根据权利要求7-11中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述保护膜(107、207)中的氢浓度比被处理的所述半导体层(106、206)中的氢浓度高。