[发明专利]电力用半导体装置及电力用半导体核心模块有效

专利信息
申请号: 201680082881.3 申请日: 2016-03-03
公开(公告)号: CN108713250B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 玉田美子;山口义弘;冈诚次;本宫哲男 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/52;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 半导体 装置 核心 模块
【权利要求书】:

1.一种电力用半导体装置,其具有多个在1个导电性基底板的上方配置有1个导电性覆盖板的电力用半导体核心模块,

各所述电力用半导体核心模块具有:

多个电力用半导体芯片,它们包含在俯视观察时相邻的多个自消弧型半导体元件及多个二极管;

上侧金属板,其配置于各所述自消弧型半导体元件、各所述二极管与所述导电性覆盖板之间;

下侧金属板,其配置于各所述自消弧型半导体元件、各所述二极管与所述导电性基底板之间;以及

多个第1弹簧,它们配置于所述上侧金属板与所述导电性覆盖板之间,

所述各电力用半导体核心模块的所述多个自消弧型半导体元件在俯视观察时沿从所述导电性覆盖板凸出的信号用基板以L字型、十字型以及T字型中的任一种线排列。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置,其中,

所述上侧金属板配置于各所述自消弧型半导体元件的一部分、各所述二极管与所述导电性覆盖板之间,

所述各电力用半导体核心模块还具有:

所述信号用基板,其从所述导电性覆盖板的下部中的位于各所述自消弧型半导体元件的除了所述一部分以外的剩余的部分上方的部分向下侧凸出;

第2弹簧,其配置于各所述自消弧型半导体元件的所述剩余的部分与所述信号用基板之间,将它们电连接;以及

框架,其将所述多个自消弧型半导体元件中的每一个及所述多个二极管中的每一个包围,

在所述各电力用半导体核心模块的所述框架的上部设置有凹部,在该凹部嵌入有所述信号用基板。

3.根据权利要求2所述的电力用半导体装置,其中,

所述电力用半导体核心模块的所述信号用基板从所述凹部露出至所述电力用半导体核心模块的外部,

相邻的所述电力用半导体核心模块中的所述信号用基板的露出的部分彼此电连接。

4.根据权利要求2或3所述的电力用半导体装置,其中,

所述信号用基板在俯视观察时具有L字型的形状,所述信号用基板的2个端部露出至所述电力用半导体核心模块的外部。

5.根据权利要求2或3所述的电力用半导体装置,其中,

所述信号用基板在俯视观察时具有十字型的形状,所述信号用基板的4个端部露出至所述电力用半导体核心模块的外部。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电力用半导体装置,其中,

所述自消弧型半导体元件及所述二极管中的至少任一者由碳化硅、氮化镓及金刚石中的任一者形成。

7.一种电力用半导体核心模块,其在导电性基底板的上方配置有导电性覆盖板,

该电力用半导体核心模块具有:

多个电力用半导体芯片,它们包含在俯视观察时相邻的多个自消弧型半导体元件及多个二极管;

上侧金属板,其配置于各所述自消弧型半导体元件的一部分、各所述二极管与所述导电性覆盖板之间;

下侧金属板,其配置于各所述自消弧型半导体元件、各所述二极管与所述导电性基底板之间;

多个第1弹簧,它们配置于所述上侧金属板与所述导电性覆盖板之间;

信号用基板,其从所述导电性覆盖板的下部中的位于各所述自消弧型半导体元件的除了所述一部分以外的剩余的部分上方的部分向下侧凸出;

第2弹簧,其配置于各所述自消弧型半导体元件的所述剩余的部分与所述信号用基板之间,将它们电连接;以及

框架,其将所述多个自消弧型半导体元件中的每一个及所述多个二极管中的每一个包围,

在所述框架的上部设置有凹部,在该凹部嵌入有所述信号用基板。

8.根据权利要求7所述的电力用半导体核心模块,其中,

所述信号用基板从所述凹部露出至所述电力用半导体核心模块的外部。

9.根据权利要求7或8所述的电力用半导体核心模块,其中,

所述自消弧型半导体元件及所述二极管中的至少任一者由碳化硅、氮化镓及金刚石中的任一者形成。

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