[发明专利]用于改善的热和RF性能的具有底部填充氮化铝的氮化镓晶体管

权利要求书

1.一种设备，包括：

设置于衬底上的晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道，所述沟道包括氮化镓；

设置于所述衬底上、在所述沟道和所述衬底之间的缓冲层；以及

氮化铝层，其中，所述缓冲层设置于所述氮化铝层上。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述氮化铝层设置于所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬底包括硅。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬底包括低电阻率硅。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述缓冲层包括氮化铝。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述氮化铝层的区域包括包含所述晶体管的占用区域的尺寸。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述氮化铝层包括所述衬底的厚度。

8.一种方法，包括：

在衬底的第一侧上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道，所述沟道包括氮化镓；以及

在所述衬底的第二侧上形成氮化铝层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述氮化铝层包括：

在所述衬底的所述第二侧中将沟槽形成到暴露所述缓冲层的深度；以及

在所述沟槽中形成氮化铝层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成沟槽包括形成包括一区域的沟槽，所述区域包括包含所述晶体管的占用区域的尺寸。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述沟槽中形成所述氮化铝层之后，将所述衬底减薄到所述氮化铝层的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述缓冲层在形成所述晶体管器件之前。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述晶体管器件包括在第一衬底上形成所述晶体管器件，并且形成所述氮化铝层包括在第二衬底上形成所述氮化铝层，并且所述方法还包括将所述衬底耦合在一起。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在将所述第一衬底和所述第二衬底耦合在一起之后，所述方法包括去除所述第一衬底。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第一衬底上形成所述晶体管器件之前，所述方法包括在所述第一衬底上形成所述缓冲层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第二衬底上形成所述氮化铝层包括：

在所述第二衬底的第一侧上形成包括氮化铝的成核层；以及

在所述第二衬底的第二侧中将沟槽形成到暴露所述成核层的深度；以及

在所述沟槽中形成所述氮化铝层。

17.一种设备，包括：

设置于硅衬底上的晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道，所述沟道包括氮化镓；

设置于所述衬底中的氮化铝层；以及

设置于所述沟槽和所述氮化铝层之间的缓冲层。

18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述氮化铝层包括所述衬底的厚度。

19.根据权利要求17所述的设备，其中，所述氮化铝层的区域包括包含所述晶体管的占用区域的尺寸。

20.根据权利要求17所述的设备，其中，所述缓冲层包括氮化铝。