[发明专利]半导体发光装置

说明书

本发明提供一种半导体发光装置，当将多个发光元件串联连接且并联连接时，能够获得所期望的光输出，并且能够抑制电流控制元件的发热，且延长发光元件的寿命。发光元件群，设有多列串联连接的多个发光元件，是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成；多个电流控制元件，与所述多列对应而设，连接于各列的所述多个发光元件的另一端，对流经所述多个发光元件的电流进行控制；正向电压监控电路，对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压；以及控制电路，基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件，以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下。

技术领域

本发明涉及一种具有将串联连接的多个发光元件并联连接而成的发光元件模块(module)的半导体发光装置，尤其涉及对用于控制发光元件的电流的晶体管(transistor)的发热进行抑制的技术。

背景技术

专利文献1所记载的半导体激光装置中，将多列串联连接的多个激光二极管(laser diode)进一步并联连接，并将多列的多个激光二极管的阳极(anode)共连，将多列的多个激光二极管的阴极(cathode)共连，构成多个并联条(line)。由此，能够通过一个电流控制元件来对各激光二极管供给电流。因此，能够以简便的结构来实现半导体激光装置。

然而，各并联条的多个激光二极管的电位差虽相同，但各激光二极管的正向电压存在个体差异。因此，流经各并联条的多个激光二极管的电流不同，因此电流会集中在任一并联条。其结果，电流集中的激光二极管的寿命变短。

而且，专利文献2所记载的半导体激光装置是设置多列串联连接的多个激光二极管(条)，将多列条的一端共连，在多列条的另一端连接电流控制元件，通过各电流控制元件来控制各条的电流。此时，若将各条的激光二极管数设定为相同，则因各条的激光二极管的正向电压差而电流控制元件的发热变大。

而且，作为以往的公知文献，已知有专利文献3、专利文献4。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2009-123833号公报

专利文献2：日本专利特开2005-129877号公报

专利文献3：日本专利特开平11-87818号公报

专利文献4：日本专利特开平6-275895号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在专利文献2中存在下述问题，即：若为了吸收各条的正向电压差而变更激光二极管数，则激光二极管的总输出将发生变化。

本发明提供一种半导体发光装置，当将多个发光元件串联连接且并联连接时，能够获得所期望的光输出，并且能够抑制电流控制元件的发热，且延长发光元件的寿命。

解决问题的技术手段

为了解决所述问题，本发明的半导体发光装置包括：发光元件群，设有多列串联连接的多个发光元件，是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成；多个电流控制元件，与所述多列对应而设，连接于各列的所述多个发光元件的另一端，对流经所述多个发光元件的电流进行控制；正向电压监控电路，对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压；以及控制电路，基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件，以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下。

发明的效果