[发明专利]一种梯形结构宽带压电滤波器有效

专利信息
申请号: 201680083811.X 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN109643984B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 庞慰;郑云卓 申请(专利权)人: 诺思(天津)微系统有限责任公司
主分类号: H03H9/46 分类号: H03H9/46
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;卢军峰
地址: 300462 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 梯形 结构 宽带 压电 滤波器
【权利要求书】:

1.一种滤波器,其特征在于,包括:

多个第一谐振器,所述多个第一谐振器串联连接;

多个第二谐振器,每一个第二谐振器都连接在所述多个第一谐振器中的一个第一谐振器的一端和接地点之间;

带宽调节单元,连接在所述多个第一谐振器中任意两个之间的节点和所述接地点之间;

其中,所述第二谐振器的并联谐振频率低于所述第一谐振器的串联谐振频率,

所述带宽调节单元包含第三谐振器和第一电感器,所述第三谐振器与所述第一电感器串联连接,所述第三谐振器具有与所述多个第二谐振器的所述并联谐振频率不同的谐振频率。

2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述带宽调节单元包含电容器和第一电感器,所述电容器与所述第一电感器串联连接。

3.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述带宽调节单元包含第一电感器。

4.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第二谐振器与所述第一谐振器的串联谐振频率的差值为所述滤波器的通带带宽的30%-80%。

5.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第三谐振器具有与所述第一谐振器相同的谐振频率。

6.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第三谐振器具有与所述第一谐振器相近的谐振频率。

7.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述电容器利用半导体工艺集成在芯片上。

8.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述电容器为分立的电容器件,设置在芯片外部并且集成在封装载体中,所述封装载体包括所述芯片。

9.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述电容器的一端连接至所述节点,所述第一电感器的一端连接至所述接地点;或者所述电容器的一端连接至所述接地点,所述第一电感器的一端连接至所述节点。

10.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,

所述第一谐振器通过第二电感器与外部的信号端口连接;以及

所述第二谐振器通过第三电感器与所述接地点连接。

11.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述第二电感器和所述第三电感器包括用于芯片与封装载体相连接的键合线、或者包括用于将所述芯片倒装焊接在所述封装载体上的金属导体。

12.根据权利要求11所述的滤波器,其特征在于,所述第二电感器和所述第三电感器的电感值在0.1nH~2nH范围内。

13.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,还包括阻抗匹配器件,所述阻抗匹配器件连接在所述接地点和所述滤波器的输入端口或输出端口之间。

14.根据权利要求13所述的滤波器,其特征在于,所述阻抗匹配器件为无源器件,所述无源器件包括电感器、电容器、传输线,所述无源器件的实现方式包括键合线、芯片集成无源器件(IPD)、封装载体上的集成或分立器件。

15.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的滤波器,其特征在于,所述第一电感器的电感值在1nH~10nH的范围内。

16.根据权利要求15所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器中的谐振器包括具有空气隙的体声波压电谐振器(FBAR)、具有布拉格阻抗反射层的固态装配体声波压电谐振器(SMR)、或具有交趾换能结构的声表面波压电谐振器(SAW)。

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