[发明专利]太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法

说明书

本发明的太阳能电池，在n型硅衬底(1)上设置有低掺杂区域(11)、和具有比该n型低掺杂区域(11)高的n型掺杂浓度的第一主面侧高掺杂区域(12)。将第一主面侧高掺杂区域(12)配置在n型低掺杂区域(11)与p型非晶硅层(3)之间。

技术领域

本发明涉及太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法。

背景技术

现有技术中，作为太阳能电池组件，具有专利文献1所述的旁路二极管。该太阳能电池组件包括：串联连接的多个太阳能电池串、和串联连接的多个旁路二极管。太阳能电池串具有串联连接的多个太阳能单电池。由串联连接的2个太阳能电池串构成1个单元。各个旁路二极管与互不相同的1个单元(以下称作串单元)并联连接。

如果太阳能电池串内的太阳能单电池被障碍物的影子遮挡，且阴影的面积变大，则电流就会流过与包含该太阳能单电池的串单元并联连接的旁路二极管。像这样，将包含被阴影盖到的太阳能电池的串单元旁路，从而防止太阳能电池组件的输出变为零。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-157457号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述专利文献1所述的太阳能电池组件中，在某个太阳能电池被阴影遮盖的情况下，包含该太阳能电池的串单元被旁路，所以该串单元内的所有太阳能电池无助于发电。因此，影响到该串单元内的没有被阴影遮挡的太阳能电池的发电，发电性能大幅降低。

本发明的目的在于，提供一种在被阴影遮挡的情况下能够抑制在太阳能电池组件中发生的发电性能降低的太阳能单电池和包括其的太阳能电池组件。

用于解决课题的方法

作为本发明的一个方式的太阳能电池包括：第一导电型的硅衬底；和位于硅衬底的第一主面侧的第二导电型的非晶硅层，硅衬底具有：被掺杂成第一导电型的低掺杂区域；和第一主面侧高掺杂区域，该第一主面侧高掺杂区域设置于低掺杂区域与非晶硅层之间，且具有比低掺杂区域高的第一导电型的掺杂浓度。

其中，上述“位于硅衬底的第一主面侧的第二导电型的非晶硅层”这一特征，在第二导电型的非晶硅层与硅衬底的第一主面侧接触的情况下满足。另外，上述“位于硅衬底的第一主面侧的第二导电型的非晶硅层”这一特征，在第二导电型的非晶硅层例如在将本征半导体层等层夹在与硅衬底的第一主面之间的状态下与硅衬底的第一主面相对的情况下也满足。

发明效果

根据作为本发明的1个方式的太阳能电池，能够抑制在被阴影遮挡的情况下太阳能电池组件中发生的发电性能降低。

附图说明

图1是表示第一实施方式的太阳能电池组件的主要部分的示意结构图。

图2是上述太阳能电池组件的太阳能电池的示意截面图。

图3是表示上述太阳能电池的电压-电流特性的1个试验例的曲线图。

图4是表示参考例的太阳能电池的一部分结构的示意截面图。

图5是第一实施方式的太阳能电池的与图4对应的示意截面图。

图6是表示参考例的太阳能电池组件的主要部分的结构图。

图7是第二实施方式的太阳能电池主要部分的示意截面图。

图8是第三实施方式的太阳能电池主要部分的示意截面图。

图9是第三实施方式的变形例中的太阳能电池主要部分的示意截面图。

图10是第四实施方式的太阳能电池的示意截面图。