[发明专利]基于鳍的晶体管的几何调整

权利要求书

1.一种用来制造电子装置的方法，包括：

在绝缘层中形成第一沟槽以暴露衬底上的原生鳍；

在所述沟槽中的所述原生鳍上沉积替代鳍；以及

使用第一化学品横向修剪所述替代鳍。

2.如权利要求1所述的方法，其中，修剪包括：

基于所述原生鳍的宽度调整所述替代鳍的宽度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，使用各向同性蚀刻来横向修剪所述替代鳍。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一化学品包括氟、氯、溴或其任何组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一化学品包含氢氧化铵和水，其中水与所述氢氧化铵的比例为至少1000:1。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底中蚀刻第二沟槽以形成所述原生鳍；

将所述绝缘层沉积到所述第二沟槽中；以及

凹陷所述原生鳍以沉积所述替代鳍。

7.如权利要求1所述的方法，其中，修剪是要将所述替代鳍的宽度减小成窄于或等于所述原生鳍的宽度。

8.一种用来制造电子装置的方法，包括：

在衬底上形成多个原生鳍，每个原生鳍从所述衬底延伸；

在所述多个原生鳍上沉积绝缘层；

凹陷所述原生鳍的第一集合以提供沟槽的第一集合；

在所述沟槽的第一集合中沉积第一替代鳍；

凹陷所述绝缘层；以及

横向修剪所述第一替代鳍。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：

在所述鳍的第二集合上沉积第一保护层。

10.如权利要求8所述的方法，还包括：

凹陷所述原生鳍的第二集合以提供沟槽的第二集合；

在所述沟槽的第二集合中沉积第二替代鳍；以及

横向修剪所述第二替代鳍。

11.如权利要求8所述的方法，其中，修剪包括：

基于所述原生鳍的宽度调整所述替代鳍的宽度。

12.如权利要求8所述的方法，其中，使用各向同性蚀刻来横向修剪所述第一替代鳍。

13.如权利要求8所述的方法，其中，使用以少于2000W的源功率的等离子蚀刻或远程等离子体源中的至少一个横向修剪所述第一替代鳍。

14.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一替代鳍中的至少一个是锗鳍、硅锗鳍、锗锡鳍、III-V材料鳍或其任何组合。

15.一种电子装置，包括：

绝缘层中的第一沟槽，所述第一沟槽暴露衬底上的原生鳍；

所述沟槽中的所述原生鳍上的替代鳍，其中，所述替代鳍的宽度窄于或等于所述原生鳍的宽度。

16.如权利要求15所述的电子装置，其中，所述原生鳍与所述替代鳍之间的交界面基本上是平坦的。

17.如权利要求15所述的电子装置，其中，所述替代鳍是锗鳍、硅锗鳍、锗锡鳍、III-V材料鳍或其任何组合。

18.如权利要求15所述的电子装置，其中，所述原生鳍是硅鳍。

19.如权利要求15所述的电子装置，其中，所述替代鳍的所述宽度小于5nm。

20.如权利要求15所述的电子装置，还包括：

所述替代鳍上的栅极结构；以及

所述栅极结构的相反侧处的源极区/漏极区。