[发明专利]转换器以及使用该转换器的电力转换装置有效
申请号: | 201680084547.1 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN109075719B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 大西启祐;阿部翔一;真田和法 | 申请(专利权)人: | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
主分类号: | H02M7/12 | 分类号: | H02M7/12;H02M7/483 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换器 以及 使用 电力 转换 装置 | ||
1.一种转换器,将被施加到输入端子的交流电压转换为第1直流电压~第3直流电压,并分别输出到第1输出端子~第3输出端子,包括:
第1二极管,阳极及阴极分别与所述输入端子及所述第1输出端子连接;
第2二极管,阳极及阴极分别与所述第2输出端子及所述输入端子连接;
第1晶体管,连接在所述第1输出端子与所述输入端子之间;
第2晶体管,连接在所述输入端子与所述第2输出端子之间;以及
第1双向开关,连接在所述输入端子与所述第3输出端子之间,
所述第1直流电压比所述第2直流电压高,所述第3直流电压是所述第1直流电压与所述第2直流电压的中间电压,
所述第1双向开关包括第3二极管~第6二极管以及第3晶体管,
所述第3二极管及所述第4二极管的阳极分别与所述输入端子及所述第3输出端子连接,所述第3二极管及所述第4二极管的阴极均与所述第3晶体管的第1电极连接,
所述第5二极管及所述第6二极管的阴极分别与所述输入端子及所述第3输出端子连接,所述第5二极管及所述第6二极管的阳极均与所述第3晶体管的第2电极连接,
所述第1二极管、所述第2二极管以及所述第3晶体管分别由宽带隙半导体形成,
所述第1晶体管、所述第2晶体管以及所述第3二极管~第6二极管分别由宽带隙半导体以外的半导体形成,
在所述第1输出端子的电压超过第1额定电压的情况下,所述第1晶体管使电流从所述第1输出端子流向所述输入端子,并且所述第3晶体管截止,
所述第1额定电压是从所述交流电压的正侧峰值电压减去所述第1二极管的阈值电压而得的电压,
在所述第2输出端子的电压低于第2额定电压的情况下,所述第2晶体管使电流从所述输入端子流向所述第2输出端子,并且所述第3晶体管截止,
所述第2额定电压是从所述交流电压的负侧峰值电压减去所述第2二极管的阈值电压而得的电压。
2.如权利要求1所述的转换器,
在所述交流电压为正电压的情况下,所述第1晶体管及所述第3晶体管交替导通,
在所述交流电压为负电压的情况下,所述第2晶体管及所述第3晶体管交替导通。
3.如权利要求1所述的转换器,
具备半导体模块,该半导体模块包括所述第1二极管~所述第6二极管以及所述第1晶体管~所述第3晶体管。
4.如权利要求1所述的转换器,
所述第1二极管及所述第2二极管的各自的额定电流大于所述第3二极管~所述第6二极管以及所述第1晶体管~所述第3晶体管的各自的额定电流。
5.如权利要求4所述的转换器,
所述第1晶体管及所述第2晶体管的各自的额定电流小于所述第1二极管~所述第6二极管以及所述第3晶体管的各自的额定电流。
6.如权利要求1所述的转换器,
所述宽带隙半导体是SiC,所述宽带隙半导体以外的半导体是Si。
7.一种电力转换装置,具备:
权利要求1所述的转换器;以及
逆变器,将分别被施加到所述第1输出端子~所述第3输出端子的第1直流电压~第3直流电压转换为3电平的交流电压并输出到第4输出端子,
所述逆变器具备:
第4晶体管,第1电极及第2电极分别与所述第1输出端子及所述第4输出端子连接;
第5晶体管,第1电极及第2电极分别与所述第4输出端子及所述第2输出端子连接;
第7二极管及第8二极管,分别与所述第4晶体管及所述第5晶体管反向并联连接;以及
第2双向开关,连接在所述第3输出端子与所述第4输出端子之间,
所述第2双向开关包括第6晶体管及第7晶体管和第9二极管及第10二极管,
所述第4晶体管、所述第5晶体管、所述第9二极管以及所述第10二极管分别由所述宽带隙半导体形成,
所述第6晶体管、所述第7晶体管、所述第7二极管以及所述第8二极管分别由所述宽带隙半导体以外的半导体形成。
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