[发明专利]表面被覆切削工具及其制造方法有效
申请号: | 201680084592.7 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN109070234B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 阿侬萨克·帕索斯;金冈秀明;今村晋也;小野聪 | 申请(专利权)人: | 住友电工硬质合金株式会社 |
主分类号: | B23B27/14 | 分类号: | B23B27/14;C23C16/34;C23C16/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张苏娜;樊晓焕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 被覆 切削 工具 及其 制造 方法 | ||
1.一种表面被覆切削工具,包括基材和形成在所述基材上的覆膜,
所述覆膜包括硬质层,
所述硬质层包含具有氯化钠型晶体结构的多个晶粒,其中
所述晶粒具有这样的层叠结构,其中由AlxTi1-x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1-y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠,其中x≠y,
彼此相邻的所述第一层和所述第二层的总厚度为3nm以上40nm以下,并且
当对于所述硬质层中与所述基材的表面平行的面,使用电子背散射衍射系统分析所述多个晶粒各自的晶体取向,从而测量作为所述晶粒的晶面的(111)面的法线方向与所述基材的表面的法线方向之间的交叉角时,所述交叉角为0度以上且小于10度的所述晶粒的面积比率为40%以上,并且
在通过使用电子背散射衍射系统分析所述多个晶粒各自的晶体取向而捕获的图像中,晶粒占据的总面积的70面积%以上至100面积%是具有0.5μm以下的粒径的晶粒。
2.根据权利要求1所述的表面被覆切削工具,其中,
所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界,并且所述CSL粒界中的Σ3晶界的长度小于Σ3-29晶界的长度的50%,该Σ3-29晶界的长度为包含于所述CSL粒界中的Σ3晶界、Σ5晶界、Σ7晶界、Σ9晶界、Σ11晶界、Σ13晶界、Σ15晶界、Σ17晶界、Σ19晶界、Σ21晶界、Σ23晶界、Σ25晶界、Σ27晶界和Σ29晶界的各个长度的总和。
3.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中,所述晶粒的粒径为1μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中,所述硬质层的厚度为1μm以上15μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中,所述硬质层的通过纳米压痕法而得到的压痕硬度为30GPa以上40GPa以下。
6.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中,所述硬质层的压缩残余应力的绝对值为0.5GPa以上3.0GPa以下。
7.一种制造根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具的方法,所述方法包括:
准备所述基材的第一步骤;以及
通过化学气相沉积形成所述硬质层的第二步骤,
所述第二步骤包括在调节AlCl3气体和TiCl4气体中的两者或一者的流量的同时,使所述晶粒生长的步骤。
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