[发明专利]间距测量设备

权利要求书

1.间距测量设备(10)，具有：

第一磁场传感器(34)，其中，所述第一磁场传感器(34)提供与磁场强度相关的第一测量信号；

至少一个永磁体(20)，该永磁体具有带第一极面的第一磁极(24)和带第二极面的第二磁极(28)；

半导体主体(30)，该半导体主体具有整体集成的分析处理电路，其中，所述分析处理电路与所述第一磁场传感器(34)处于电作用连接中并且所述半导体主体(30)具有构造在X-Y平面中的表面，

其特征在于，

设置第二磁场传感器(38)，该第二磁场传感器基于与所述第一磁场传感器(34)相同的物理工作原理，并且所述第二磁场传感器(38)提供与所述磁场强度相关的第二测量信号，并且所述第二磁场传感器(38)与所述分析处理电路处于电作用连接中，并且所述分析处理电路为了抑制稳恒磁场而求取差分信号并且提供输出信号作为求取的结果，其中，基于无磁通区域的消除的所述输出信号的值与铁磁性探测器相对于两个磁场传感器的间距相关，并且所述两个磁场传感器与所述半导体主体的表面力锁合地连接并且为了测量所述磁场的相同分量而相同地布置，并且，

在第一实施方式中，为了在第一铁磁性探测器相同强度地作用到两个磁场传感器(34、38)上的情况下测量磁通变化的大小，所述半导体主体(30)布置在沿Y方向磁化的磁体的U形构造的极腿之间，其中，所述第一磁场传感器(34)布置在处于第一磁极的两个彼此相对置的腿(124、128)之间的区域中，并且所述第二磁场传感器(38)布置在处于第二磁极的两个彼此相对置的腿(124、128)之间的区域中，并且在所述腿(124、128)之间构造有底面，并且所述半导体主体(30)在Z方向上布置在底部区域(130)上方，或者，

在第二实施方式中，为了在第二铁磁性探测器不同强度地作用到两个磁场传感器(34、38)上的情况下测量磁通变化的大小，所述永磁体(20)在Z方向上磁化并且两个极面中的一个极面构造在X-Y平面中并且所述两个磁场传感器(34、38)沿该一个极面布置。

2.根据权利要求1所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述永磁体(20)U形地构造并且具有两个彼此相对置的、直地并且平行地走向的腿(124、128)或圆形的腿(124、128)。

3.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述永磁体(20)在中心区域中具有槽(140)并且所述槽(140)孔形地构造。

4.根据权利要求3所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述中心区域包括所述永磁体(20)的重心。

5.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述半导体主体(30)布置在所述永磁体(20)的重心上方，使得在所述永磁体(20)的重心位置处形成的法线穿过所述半导体主体(30)。

6.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述永磁体(20)根据第一实施方式由两个反向地直接彼此并排地布置的垂直磁化的单磁体构成。

7.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，在所述腿(124、128)之间构造有底部区域(130)，并且在第一实施方式中所述永磁体(20)的极性在所述底部区域(130)中沿中线变换，而在第二实施方式中所述极性在所述永磁体(20)的所述底部区域(130)中保持相同。

8.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述腿(124、128)在X-Y平面中构造环绕的壁，并且在第一实施方式中所述壁的第一半部具有第一磁极性并且所述壁的第二半部具有第二磁 极性，而在第二实施方式中所述环绕的壁具有一致的磁极性。

9.根据权利要求1或2所述的间距测量设备(10)，其特征在于，所述两个磁场传感器(34、38)的布置在X-Y平面中的表面与在所述腿(124、128)的端部上构造的极面相比在Z方向上相对于所述永磁体(20)的内底面的间距相等或较小。