[发明专利]Cu-Ni-Si系铜合金板材和制造法有效

专利信息
申请号: 201680085173.5 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN109072341B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 首藤俊也;须田久;佐佐木史明 申请(专利权)人: 同和金属技术有限公司
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22C9/10;C22F1/08
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘强
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: cu ni si 铜合金 板材 制造
【说明书】:

本发明提供蚀刻加工面的表面平滑性优异的高强度Cu‑Ni‑Si系铜合金板材。铜合金板材,其具有如下组成:用质量%表示,包含Ni:1.0~4.5%、Si:0.1~1.2%、Mg:0~0.3%、Cr:0~0.2%、Co:0~2.0%、P:0~0.1%、B:0~0.05%、Mn:0~0.2%、Sn:0~0.5%、Ti:0~0.5%、Zr:0~0.2%、Al:0~0.2%、Fe:0~0.3%、Zn:0~1.0%、剩余部分Cu和不可避免的杂质,在与板面平行的观察面中,长径1.0μm以上的粗大第二相粒子个数密度为4.0×103个/mm2以下,并且采用EBSD将结晶方位差15°以上的边界视为晶粒间界时的晶粒内的、用步长0.5μm测定的KAM值比3.00大。

技术领域

本发明涉及适合作为采用光刻形成宽度窄的高精度的引脚(ピン)的引线框架用的原料的高强度Cu-Ni-Si系铜合金板材及其制造法。在本说明书中所说的“Cu-Ni-Si系铜合金”中也包含添加了Co的类型的Cu-Ni-Si系铜合金。

背景技术

为了制作高精细的引线框架,需要10μm级的精密蚀刻。为了采用这样的精密蚀刻形成直线性良好的引脚,要求是得到表面凹凸尽可能少的(表面平滑性良好的)蚀刻面的原料。另外,为了应对半导体封装的小型·薄壁化,对引线框架的引脚也要求细径化。为了实现引脚的细径化,引线框架用原料的高强度化变得重要。进而,为了加工成尺寸精度高的引线框架,作为原料的板材的形状在加工前的阶段极其平坦变得有利。

在引线框架用原料中,选择强度与导电性的特性平衡优异的金属材料。作为这样的金属材料,有Cu-Ni-Si系铜合金(所谓的科森合金)、在其中添加了Co的类型的铜合金。对于这些合金系而言,能够在维持比较高的导电率(35~60%IACS)的同时调整为0.2%屈服强度(耐力)800MPa以上的高强度。在专利文献1~7中公开了与高强度Cu-Ni-Si系铜合金的强度、弯曲加工性的改善有关的各种技术。

根据这些文献的技术,确认强度、导电性、弯曲加工性的改善效果。但是,为了以高尺寸精度制造上述这样的高精细的引线框架,在蚀刻面的表面平滑性的方面得不到能够满足需要的结果。另外,对于作为原料的板材的形状也有改善的余地。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-126934号公报

专利文献2:日本特开2012-211355号公报

专利文献3:日本特开2010-7174号公报

专利文献4:日本特开2011-38126号公报

专利文献5:日本特开2011-162848号公报

专利文献6:日本特开2012-126930号公报

专利文献7:日本特开2012-177153号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供Cu-Ni-Si系铜合金板材,其为高强度,并且蚀刻加工面的表面平滑性优异。进而,目的在于得到在切断板(切り板)中也维持优异的平坦性的板材。

用于解决课题的手段

根据发明人的研究,获知以下内容。

(a)在Cu-Ni-Si系铜合金板材中为了提高蚀刻面的表面平滑性,使其成为采用EBSD(电子束背散射衍射法)求出的KAM值大的组织状态是极其有效的。

(b)为了提高KAM值,在熔体化处理与时效处理之间施加适度的冷轧应变以及在最终的低温退火中进行控制以致升温速度没有过度变快是极有效的。

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