[发明专利]衬底组件和相关方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

蚀刻中间层的部分以形成衬底组件中的传感器腔体，衬底组件具有基底层和中间层，基底层包括第一材料，并且中间层包括不同于第一材料的第二材料；

在传感器腔体中形成第一电极和第二电极；以及

形成与传感器腔体流体连通的流体输运通道，流体输运通道包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。

2.权利要求1所述的方法，还包括将中间层提供为邻近第二分离层的第一分离层。

3.权利要求2所述的方法，还包括在第一分离层上沉积钝化层并且在第二分离层上沉积盖层。

4.权利要求1所述的方法，还包括在衬底组件上施加旋涂式玻璃层。

5.权利要求4所述的方法，其中形成流体输运通道包括在旋涂式玻璃层和衬底组件上沉积环氧化物层。

6.权利要求5所述的方法，还包括在将环氧化物层沉积在旋涂式玻璃材料上之后从传感器腔体移除旋涂式玻璃层。

7.权利要求1所述的方法，其中蚀刻中间层的部分以形成传感器腔体包括在中间层中蚀刻近似在3微米和5微米之间的深度，以及在中间层中蚀刻近似在2微米和5微米之间的宽度。

8.权利要求1所述的方法，其中在传感器腔体中形成第一电极和第二电极包括在衬底组件上和在传感器腔体内沉积导电层，掩蔽或图案化第一电极和第二电极，以及蚀刻导电层以提供位于传感器腔体中的三维第一电极和三维第二电极。

9.一种方法，包括：

蚀刻中间层的部分以形成衬底组件中的传感器腔体，衬底组件具有基底层和中间层；

在传感器腔体内沉积导电层；

经由导电层在传感器腔体中蚀刻至少两个电极；

利用旋涂式玻璃层涂敷传感器腔体；以及

在旋涂式玻璃层之上沉积环氧化物层以形成与传感器腔体流体连通的流体输运通道。

10.权利要求9所述的方法，其中在中间层中蚀刻传感器腔体包括将中间层蚀刻有近似在2微米和5微米之间的宽度，以及近似在3微米和5微米之间的深度。

11.权利要求9所述的方法，还包括在将环氧化物层沉积在旋涂式玻璃层上之后从传感器腔体移除旋涂式玻璃层。

12.一种用于形成用于微流体设备的传感器装置的方法，所述方法包括：

形成具有以下的衬底组件：

包括第一材料的基底层；

沉积在基底层上的第一分离层，第一分离层由第二材料形成；

位于第一分离层上的钝化层；

沉积在钝化层上的第二分离层；以及

沉积在第二分离层上的盖层；

蚀刻盖层和第二分离层以限定传感器腔体；

在盖层和传感器腔体上沉积导电层；

蚀刻导电层的部分以限定位于传感器腔体中的第一电极和第二电极；

利用旋涂式玻璃层涂覆导电层、位于传感器腔体中的钝化层和盖层；

蚀刻掉除了位于传感器腔体中的旋涂式玻璃层之外的旋涂式玻璃层；

在导电层、旋涂式玻璃层和盖层上沉积管芯表面优化层；

在管芯表面优化层之上沉积环氧化物层；以及

移除传感器腔体内形成的旋涂式玻璃层。

13.权利要求12所述的方法，还包括在蚀刻盖层和第二分离层之前，在盖层上旋涂第一光致抗蚀剂层并且掩蔽盖层之上的传感器腔体图案。

14.权利要求12所述的方法，还包括在将导电层沉积在盖层和传感器腔体上之前，在盖层和第二分离层上沉积限定传感器腔体的接合层。

15.权利要求12所述的方法，还包括在形成传感器腔体之后并且在沉积导电层之前，在盖层、钝化层或第二分离层的壁中的至少一个上沉积限定传感器腔体的原子层沉积层。