[发明专利]窄带化KrF准分子激光装置在审

专利信息
申请号: 201680086414.8 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN109314366A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 守屋正人 申请(专利权)人: 极光先进雷射株式会社
主分类号: H01S3/139 分类号: H01S3/139;G01J3/26;H01J61/24;H01J61/28;H01S3/225
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟;于英慧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 检测光 干涉条纹 窄带 低压水银灯 基准光 水银 波长 波长检测器 波长控制部 输出耦合镜 光学系统 标准具 光分布 致动器 射出 传感器检测 控制致动器 收纳 波形计算 吸气材料 传感器 激光腔 热阴极 入射 吸附 变更 配置
【权利要求书】:

1.一种窄带化KrF准分子激光装置,其中,所述窄带化KrF准分子激光装置具有:

激光腔,其包括第1窗口和第2窗口,在该激光腔的内部配置有一对放电电极,该激光腔中封入包括氪气和氟气的激光气体;

窄带化光学系统,其配置在从所述第1窗口射出的光的光路上;

致动器,其构成为能够变更由所述窄带化光学系统选择的光的波长;

输出耦合镜,其与所述窄带化光学系统一起构成光谐振器,且所述输出耦合镜配置在从所述第2窗口射出的光的光路上,使从所述第2窗口射出的光的一部分射出;

波长检测器,其包括低压水银灯、标准具和光分布传感器,该低压水银灯在内部收纳有水银、对所述水银的至少一部分进行吸附的吸气材料以及对所述水银的至少一部分进行激励的热阴极,该标准具配置在从所述低压水银灯射出的基准光和从所述输出耦合镜射出的被检测光所入射的位置,该光分布传感器对所述基准光的干涉条纹的波形和所述被检测光的干涉条纹的波形进行检测;以及

波长控制部,其对所述基准光的干涉条纹的波形进行累计而计算累计波形,根据所述累计波形和所述被检测光的干涉条纹的波形计算所述被检测光的波长,并根据所述被检测光的波长的计算结果对所述致动器进行控制。

2.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述波长控制部从所述低压水银灯开始所述基准光的射出时起,在规定时间内的至少一部分的期间内对所述基准光的干涉条纹的波形进行累计。

3.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述波长检测器对所述基准光的干涉条纹的波形进行多次检测,

所述波长控制部通过对多次的所述基准光的干涉条纹的波形进行相加,从而对所述基准光的干涉条纹的波形进行累计。

4.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

从所述低压水银灯开始所述基准光的射出起到从所述低压水银灯射出的所述基准光的光量开始降低为止的时间为5秒以上60秒以下。

5.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

从所述低压水银灯开始所述基准光的射出起到由所述光分布传感器检测的干涉条纹的波形产生下沉为止的时间为10秒以上30秒以下。

6.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述低压水银灯的水银蒸气压相对于温度变化的特性在0.8Pa以上1.2Pa以下的区间具有极大值,在0.6Pa以上1.0Pa以下的区间具有极小值。

7.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述吸气材料位于与从所述低压水银灯的大致中心朝向所述标准具的所述基准光的行进方向相反的一侧。

8.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述吸气材料配置在与所述热阴极的最短距离为2mm以上6mm以下的位置。

9.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

所述吸气材料包括铟、银以及水银的合金。

10.根据权利要求1所述的窄带化KrF准分子激光装置,其中,

收纳在所述低压水银灯中的所述水银包括49%以上的一种同位素。

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