[发明专利]具有不同热膨胀系数的接合材料有效
申请号: | 201680086480.5 | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN109416406B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G03B42/02 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 江晓苏 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 不同 热膨胀 系数 接合 材料 | ||
1.一种X射线检测器,其包括:
X射线吸收层,其配置成吸收X射线光子;
电子层,其包括电子系统,所述电子系统配置成处理或解释所述X射线吸收层上入射的X射线光子产生的信号;
所述X射线吸收层中或所述电子层中的温度驱动器;以及
第一电压比较器,其配置成将所述X射线吸收层的电极的电压与第一阈值比较;
第二电压比较器,其配置成将所述电压与第二阈值比较;
计数器,其配置成记录到达所述X射线吸收层的X射线光子的数目;
控制器;
其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定电压的绝对值等于或超出所述第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟;
其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器;
其中所述控制器配置成如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第二阈值的绝对值则促使所述计数器记录的数目增加一。
2.如权利要求1所述的X射线检测器,其进一步包括所述X射线吸收层或所述电子层中的温度感测器。
3.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述温度驱动器包括Peltier设备。
4.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述温度驱动器包括电阻加热器。
5.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述温度驱动器包括独立可寻址单元。
6.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述X射线吸收层或所述电子层包括多个晶片。
7.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述电子系统进一步包括电容器模组,其电连接到所述X射线吸收层的电极,其中所述电容器模组配置成从所述X射线吸收层的电极收集载流子。
8.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述控制器配置成在所述时间延迟开始或终止时启动所述第二电压比较器。
9.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述电子系统进一步包括电压表,其中所述控制器配置成在所述时间延迟终止时促使所述电压表测量电压。
10.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述控制器配置成基于在所述时间延迟终止时测量的电压值来确定X射线光子能量。
11.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述控制器配置成使所述X射线吸收层的电极连接到电接地。
12.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为零。
13.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述电压的变化率在时间延迟终止时大致为非零。
14.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述X射线吸收层包括二极管。
15.如权利要求1所述的X射线检测器,其中所述X射线吸收层包括GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合并且所述电子层包括硅。
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