[发明专利]具有格栅区段的靶组件和同位素产生系统

权利要求书

1.一种用于同位素产生系统的靶组件，所述靶组件包括：

靶体，所述靶体具有产生室和射束通道，所述产生室被定位成接收被引导穿过所述射束通道的粒子束，所述产生室被配置成固持靶材料；

所述靶体的第一格栅区段和第二格栅区段，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段布置在所述射束通道中，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧，所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接，所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室；以及

箔，所述箔在所述接口处定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁，所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的所述内壁与所述箔的相反两侧相接合。

2.如权利要求1所述的靶组件，其中，所述第二格栅区段具有围绕所述射束通道并限定所述射束通道的一部分的轮廓的径向表面，所述径向表面不具有流体耦接至所述靶体的本体通道的端口。

3.如权利要求1所述的靶组件，进一步包括延伸穿过所述靶体的冷却通道，所述冷却通道被配置成具有穿其而过流动的冷却介质，所述冷却介质吸收来自所述第二格栅区段的热能并将所述热能传递离开所述第二格栅区段。

4.如权利要求1所述的靶组件，其中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。

5.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第二箔形成限定所述产生室的腔室壁。

6.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一格栅区段的所述内壁与所述第一箔和所述第二箔接合。

7.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一箔比所述第二箔厚至少5倍。

8.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一箔被配置成将所述粒子束的射束能量降低至少10％。

9.一种同位素产生系统，包括：

粒子加速器，所述粒子加速器被配置成生成粒子束；以及

靶组件，所述靶组件具有产生室和与所述产生室对准的射束通道，所述产生室被配置成固持靶材料，所述射束通道被配置成接收被引导朝向所述产生室的粒子束，所述靶组件还包括：

第一格栅区段和第二格栅区段，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段布置在所述射束通道中，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧，所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接，所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室；以及

箔，所述箔沿所述接口定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者具有将格栅通道限定于其间的内壁，所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的所述内壁与所述箔接合。

10.如权利要求9所述的同位素产生系统，其中，所述第二格栅区段具有围绕所述射束通道并且限定所述射束通道的一部分的轮廓的径向表面，所述径向表面不具有流体耦接至通道的端口。

11.如权利要求9所述的同位素产生系统，进一步包括延伸穿过所述靶体的冷却通道，所述冷却通道被配置成具有穿其而过流动的冷却介质，所述冷却介质吸收来自所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的热能并将所述热能传递离开所述第一格栅区段和所述第二格栅区段。

12.如权利要求9所述的同位素产生系统，其中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。