[发明专利]用于制备有机电荷传输膜的方法在审

专利信息
申请号: 201680086916.0 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN109315047A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: D·D·德沃尔;都成真;冯少光;R·D·格里格;李扬;刘淳;S·穆克霍培德海耶;罗弘烨;M·S·雷米;L·P·斯宾塞;A·N·索科洛夫;P·特雷福纳斯三世;朱敏荣;A·英曼;J·W·克雷默 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司
主分类号: H05B33/14 分类号: H05B33/14;H05B33/12;H05B33/10;C09K11/06;H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 徐舒
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 有机电荷 阴离子 布朗斯特酸 芳基甲氧基 芳族取代基 非氢取代基 传输 单一液相 芳基硼酸 聚合单元 路易斯酸 酸催化剂 聚合物 产酸剂 芳香环 阳离子 乙烯基 芳族 可用 制备
【权利要求书】:

1.一种可用于制备有机电荷传输膜的单一液相制剂;所述制剂包含:(a)具有Mn至少4,000且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元的聚合物,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳香环连接的乙烯基;条件是所述化合物不含芳基甲氧基键;(b)酸催化剂,其为pKa≤4的有机布朗斯特酸;路易斯酸,其包含芳族阳离子和阴离子,所述阴离子为(i)具有下式的四芳基硼酸根

其中R表示零至五个选自D、F和CF3的非氢取代基,(ii)BF4-,(iii)PF6-,(iv)SbF6-,(v)AsF6-或(vi)ClO4-;或者热致产酸剂,其为pKa≤2的有机布朗斯特酸的铵盐或吡啶盐或者有机磺酸的酯;以及(c)溶剂。

2.根据权利要求1所述的制剂,其中所述聚合物的Mn至少为5,000。

3.根据权利要求2所述的制剂,其包含0.5至10重量%的聚合物、0.01至1重量%的酸催化剂以及90至99.5重量%的溶剂。

4.根据权利要求3所述的制剂,其中所述溶剂或溶剂混合物的Hansen RED值相对于聚合物小于1.2。

5.一种制备有机电荷传输膜的方法;所述方法包括以下步骤:(a)在表面上涂覆制剂,所述制剂包含:(i)具有Mn至少4,000且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元的聚合物,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳香环连接的乙烯基;条件是所述化合物没有芳基甲氧基键;(ii)酸催化剂,其为pKa≤4的有机布朗斯特酸;路易斯酸,其包含芳族阳离子和阴离子,所述阴离子为(i)具有下式的四芳基硼酸根

其中R表示零至五个选自D、F和CF3的非氢取代基,(ii)BF4-,(iii)PF6-,(iv)SbF6-,(v)AsF6-或(vi)ClO4-;或者热致产酸剂,其为pKa≤2的有机布朗斯特酸的铵盐或吡啶盐或者有机磺酸的酯;以及(iii)溶剂;以及(b)将所述涂覆的表面加热至120至280℃的温度。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述聚合物的Mn至少为5,000。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述制剂包含0.5至10重量%的聚合物、0.01至1重量%的酸催化剂以及90至99.5重量%的溶剂。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述溶剂或溶剂混合物的Hansen RED值相对于聚合物小于1.2。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述涂覆的表面被加热至从140至230℃的温度。

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