[发明专利]用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件

权利要求书

1.一种用于偏置单片微波集成电路MMIC高电子迁移率晶体管HEMT放大器(602)的栅极的补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)包括：

两个电阻器(R1、R2)；

与所述两个电阻器(R1、R2)串联连接并且位于所述两个电阻器(R1、R2)之间的至少两个HEMT(Q1、Q2)，其中：

选择所述电阻器(R1、R2)和所述HEMT(Q1、Q2)，使得在补偿器器件(100)的操作中，至少一个第一HEMT(Q1)的偏置点在饱和区中，至少一个第二HEMT(Q2)的偏置点在欧姆区中。

2.根据权利要求1所述的补偿器器件(100)，其特征在于：

所述至少两个HEMT(Q1、Q2)的阈值电压和/或跨导分别和HEMT放大器的阈值电压和/或跨导对温度和/或工艺变化的灵敏度相同。

3.根据权利要求1或2所述的补偿器器件(100)，其特征在于：

所述两个电阻器(R1、R2)中的至少一个电阻器为薄膜电阻器(TFR-1、TFR-2)。

4.一种补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求1至3任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且：

所述两个电阻器(R1、R2)中的至少一个电阻器为台面电阻器(MESA-1、MESA-2)。

5.一种补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求1至4任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且：

所述至少两个HEMT(Q1、Q2)为GaAs HEMT(HEMT-1、HEMT-2)。

6.一种补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求1至5任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且，还包括：

与每个HEMT(Q1、Q2)的栅极连接的输入端口(VS)，其优选地为焊盘(302)，其中，所述输入端口(VS)还与外部栅极电源连接。

7.一种补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求1至6任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且，还包括：

与第一电阻器(R1)连接的接地通孔(301)。

8.一种补偿器器件，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求1至6任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且，还包括：

与第一电阻器(R1)连接的焊盘(401)。

9.一种补偿器器件(100)，其特征在于，所述补偿器器件(100)具有权利要求7至8任意一项所述补偿器器件(100)的全部特征，并且还包括：

连接在所述第一电阻器(R1)和所述至少两个HEMT(Q1、Q2)之间的输出端口(VG)。

10.一种单片微波集成电路MMIC放大器器件(600)，其特征在于，包括高电子迁移率晶体管HEMT放大器(602)和权利要求1至9中任一项所述的用于偏置HEMT放大器(602)的栅极的补偿器器件(100)。

11.根据权利要求10所述的MMIC放大器器件(600)，其特征在于，所述补偿器器件(100)的输入端口(VS)与栅极电源连接，所述补偿器器件(100)的输出端口(VG)与所述HEMT放大器(602)的栅极连接。

12.一种通信设备，其特征在于，包括至少一个权利要求10和权利要求11任一项所述的MMIC放大器器件(600)。

13.一种用于补偿提供给具有补偿器器件(100)的单片微波集成电路MMIC高电子迁移率晶体管HEMT放大器(602)的栅极电压的方法，其特征在于：

所述补偿器器件(100)包括两个电阻器(R1、R2)以及与所述两个电阻器(R1、R2)串联连接并且位于所述两个电阻器(R1、R2)之间的至少两个HEMT(Q1、Q2)；

所述方法包括：将至少一个第一HEMT(Q1)的偏置点设置在饱和区中，以及将至少一个第二HEMT(Q2)的偏置点设置在欧姆区中。