[发明专利]半导体电容器有效
| 申请号： | 201680088106.9 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN109564894B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 早见泰明;林哲也;图子祐辅;倪威;大久保明范 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体电容器，其具备：半导体基板、形成于所述半导体基板的电极组、绝缘物，形成多个电容器，所述多个电容器具有在所述电极组各自之间夹有所述绝缘物的构造，其特征在于，
所述多个电容器设定为电容器承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器中的流动容易度即电导中的至少一方不同。
2.如权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，
构成所述电极组的各单位电极具有埋入到在所述半导体基板的表面形成的槽中的沟槽电极的构造。
3.如权利要求1或2所述的半导体电容器，其特征在于，
所述电极组中的一个单位电极为所述半导体基板。
4.如权利要求3所述的半导体电容器，其特征在于，
用于得到与所述半导体基板电导通的接触区域形成在所述半导体基板中的、与形成有所述单位电极的面相同的面上。
5.如权利要求4所述的半导体电容器，其特征在于，
所述接触区域形成在被所述单位电极包围的区域。
6.如权利要求3所述的半导体电容器，其特征在于，
用于得到与所述半导体基板电导通的接触区域形成在所述半导体基板中的、与形成有所述单位电极的面不同的面上。
7.如权利要求2所述的半导体电容器，其特征在于，
所述单位电极间的厚度与在所述单位电极间构成的电容器的耐压成正比关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
