[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

基板；

第一导电型漂移区域，其设置于所述基板的第一主面，杂质浓度比所述基板高；

源电极槽，其从所述漂移区域的与所述第一主面相反侧的第二主面起，沿所述第二主面的垂直方向而形成；

第二导电型阱区域，其与所述源电极槽的侧面接触，至少一部分形成于所述漂移区域内；

第一导电型源极区域，其与所述源电极槽的侧面接触，形成于所述阱区域内；

源电极，其与所述源极区域电连接；

栅电极槽，其以与所述漂移区域、所述阱区域及所述源极区域接触的方式从所述第二主面起沿所述垂直方向而形成；

栅极绝缘膜，其形成于所述栅电极槽的表面；

栅电极，其形成于所述栅极绝缘膜的表面；

第一导电型漏极区域，其在所述漂移区域内，以远离所述阱区域的方式形成；

漏电极，其与所述漏极区域电连接，

所述半导体装置的特征在于，

所述栅电极槽以与所述源电极槽接触的方式形成，

具有栅极配线，所述栅极配线与所述源电极电绝缘，且以与所述栅电极接触的方式形成于所述源电极槽内。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述源电极槽形成为比所述栅电极槽深。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极配线以经由绝缘膜与所述基板接触的方式形成。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

层间绝缘膜，其形成于所述第二主面；

源极配线，其与所述源电极电连接；

漏极配线，其与所述漏电极电连接，

所述源极配线及所述漏极配线形成于所述层间绝缘膜的与所述第二主面相反的一侧且与所述第二主面平行的主面上。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板由绝缘体或半绝缘体构成。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅电极及所述栅极配线彼此由相同的材料形成。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极配线由硅形成，通过形成于表面的氧化硅膜，与所述源电极电绝缘。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域由宽带隙半导体构成。